[发明专利]半导体结构

权利要求书

1. 一种半导体结构，包括：

一第一含硅化合物层，包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；

一硅层，在该第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上的纯硅；及

一第二含硅化合物层，包括在该硅层上的该元素，其中该第一及第二含硅化合物层的硅浓度实质上小于该硅层。

2. 根据权利要求1所述的半导体结构，其特征是该硅层具有约大于99％的硅浓度。

3. 根据权利要求1所述的半导体结构，还包括一金属氧化物半导体元件，其中该硅层及该第一及该第二含硅化合物层形成至少该金属氧化物半导体元件的一源极/漏极区的一部分。

4. 根据权利要求1所述的半导体结构，其特征是该第一含硅化合物层、该硅层及该第二含硅化合物层包括一杂质，该杂质大体选自由一p型杂质及一n型杂质所组成的族群中，且其中在该第二含硅化合物层中的杂质浓度实质上小于该第一含硅化合物层及该硅层。

5. 根据权利要求1所述的半导体结构，其特征是该元素为锗，且其中在该第一及该第二含硅化合物层中的锗原子百分率是在约10％至约40％之间。

6. 根据权利要求1所述的半导体结构，还包括在该第二含硅化合物层上的一硅化层。

7. 一种半导体结构，包括：

一半导体基材；

一栅极叠层，在该半导体基材之上；及

一源极/漏极区，具有至少一部分在该半导体基材中，且相邻于该栅极叠层，其中该源极/漏极区包括：

一第一应力源区域，包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；及

一硅区域，在该第一应力源区域上，包括实质上纯硅，其中该第一应力源区域的硅浓度实质上小于该硅区域；及

一掺杂区域，延伸自该第一应力源区域的一顶表面到该第一应力源区域中，其中该掺杂区域的杂质浓度实质上大于该源极/漏极区的剩下部分，且其中该掺杂区域实质上在该硅区域的一底表面上方。

8. 根据权利要求7所述的半导体结构，其特征是该源极/漏极区还包括在该硅区域上的一第二应力源区域，且其中该第二应力源区域包括该元素，且其中该第二应力源区域的硅浓度实质上小于该硅区域。

9. 根据权利要求7所述的半导体结构，其特征是该硅区域的一顶表面与一硅化物区域接触。

10. 根据权利要求7所述的半导体结构，其特征是该元素为锗，且其中该金属氧化物半导体元件为一p型金属氧化物半导体元件。

11. 根据权利要求7所述的半导体结构，其特征是该元素为碳，且其中该金属氧化物半导体元件为一n型金属氧化物半导体元件。