[发明专利]集成电路结构的形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的形成方法，包括：

形成低介电常数介电层；

在该低介电常数介电层之中形成导线；

形成自对准介电层，其中该导线以及该自对准介电层在水平地互相邻接；

形成空气间隙，该空气间隙水平地邻接该自对准介电层以及该低介电常数介电层；以及

在该空气间隙以及该低介电常数介电层上形成蚀刻停止层。

2.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中形成该自对准介电层的步骤还包括：

蚀刻该低介电常数介电层而形成开口，其中该低介电常数介电层露出的部分形成受损层；以及

修复该受损层的表面的部分，以形成自对准介电层，其中该受损层的内部未修复。

3.如权利要求2所述的集成电路结构的形成方法，其中形成该空气间隙的步骤包括蚀刻该受损层的内部。

4.如权利要求2所述的集成电路结构的形成方法，其中修复该表面部分的步骤包括针对该受损层进行硅化工艺。

5.如权利要求4所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅化工艺包括利用硅烷试剂与该受损层反应。

6.如权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅烷试剂包括选自六甲基二硅氧烷、三甲基氯烷或其组合的物质。

7.如权利要求4所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅化工艺在0℃～125℃下进行。

8.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，还包括：

在该低介电常数介电层的下方形成额外的低介电常数介电层，其中形成该自对准介电层的步骤包括：

蚀刻该额外的低介电常数介电层以形成介层孔开口，其中该额外的低介电常数介电层形成额外的受损层；以及

在形成该自对准介电层的同时，修复该额外的受损层的表面部分，以形成额外的自对准介电层。

9.如权利要求8所述的集成电路结构的形成方法，还包括在该低介电常数介电层与该额外的低介电常数介电层之间形成额外的蚀刻停止层，其中该额外的受损层未被去除。

10.如权利要求8所述的集成电路结构的形成方法，其中该低介电常数介电层以及该额外的低介电常数介电层为连续层的部分，并且其中形成该空气间隙的步骤持续直到该空气间隙延伸至该额外的受损层的顶部。

11.一种集成电路结构的形成方法，包括：

形成低介电常数介电层；

蚀刻该低介电常数介电层以形成开口，其中由该开口露出的低介电常数介电层部分形成受损层；

硅化该受损层表面的部分以形成自对准介电层，其中该受损层的内部不被硅化；

在该开口之中形成导线；

去除该受损层的内部以形成空气间隙；以及

在该空气间隙以及该低介电常数介电层上形成蚀刻停止层。

12.如权利要求11所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅化步骤包括利用硅烷试剂与该受损层反应。

13.如权利要求12所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅烷试剂包括选自六甲基二硅氧烷、三甲基氯烷或其组合的物质。

14.如权利要求12所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅化步骤在0℃～125℃下进行。

15.如权利要求12所述的集成电路结构的形成方法，其中该硅烷试剂为气态或液态。

16.如权利要求12所述的集成电路结构的形成方法，还包括：

在该低介电常数介电层的下方形成额外的低介电常数介电层；

蚀刻该额外的低介电常数介电层以形成介层孔开口，其中该额外的低介电常数介电层形成额外的受损层；以及

硅化该额外的受损层表面的部分以形成额外的自对准介电层，其中该额外的受损层的内部不被硅化；并且去除该额外的受损层的内部的步骤持续进行，直到该额外的受损层的内部的顶部被去除为止。