[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710137305.7 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101110358A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/266;H01L21/208;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
在半导体衬底上形成具有预定厚度的多晶层；
使用光致抗蚀剂图案作为掩模，将该多晶层蚀刻至预定深度；
以相对于离子注入方向呈预定角度的方式，将离子注入到该多晶层；以及
使用该光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻被注入离子的该多晶层，以暴露该半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该预定深度处在该多晶层的厚度的60％-80％范围内。
3.根据权利要求2所述的方法，其中该预定深度大约为该多晶层厚度的2/3。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该预定角度在35°-55 °范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其中注入离子包括以20KeV-50KeV的能量和1E14-1E16离子/cm2的剂量注入Ge。
6.根据权利要求1所述的方法，其中注入离子还包括利用预定角度单元旋转该半导体衬底。
7.根据权利要求6所述的方法，其中该预定角度部件具有0°、45°、180°和/或270°的角度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中注入离子还包括以恒定的速度旋转该半导体衬底。
9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻该多晶层包括反应离子蚀刻。
10.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻被注入离子的该多晶层包括反应离子蚀刻。
11.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻被注入离子的该多晶层而形成多晶栅。
12.根据权利要求1所述的方法，其中将离子注入到该多晶层的位于该光致抗蚀剂图案下方的横侧，以及该多晶层被该光致抗蚀剂图案暴露的表面。
13.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
器件隔离区，位于该半导体衬底中，用于限定有源区；
栅极，位于该半导体衬底的具有该有源区的部分之上，且包括被注入Ge离子的多晶栅；
杂质区，位于该有源区中；以及
间隔件，位于该栅极的横侧处。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中注入的Ge离子出现在该多晶栅的沉积厚度的60％-80％的范围之中。
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中该栅极还包括位于该半导体衬底上且位于该多晶栅下方的栅极介电层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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