[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，具有第1沟道导电类型的薄膜晶体管和第2沟道导电类型的薄膜晶体管，其特征在于，

在两薄膜晶体管中，在沟道区的端部上的锥部分的至少一部分区域的、隔着栅绝缘膜而相向的栅电极处，设置开口部，

在第1沟道导电类型的薄膜晶体管中的与上述开口部对应的沟道区，具备与第2沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区相同类型的杂质区，

在第2沟道导电类型的薄膜晶体管中的与上述开口部对应的沟道区，具备与第1沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区相同类型的杂质区。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述开口部向薄膜晶体管的源区侧或漏区侧开放。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述开口部具有从薄膜晶体管的源区侧平面式连结到漏区侧的形状。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

隔着上述栅绝缘膜与沟道区相向的栅电极通过在比上述栅电极靠上层形成的布线层而电连接。

5.一种薄膜晶体管基板的制造方法，该薄膜晶体管基板具有第1沟道导电类型的薄膜晶体管和第2沟道导电类型的薄膜晶体管，所述制造方法其特征在于，

在同一工序中实施：用于形成上述第1沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区的杂质导入、和导入到上述第2沟道导电类型的薄膜晶体管的与设置在上述栅电极处的开口部相对应的沟道区中的杂质导入，

在同一工序中实施：用于形成上述第2沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区的杂质导入、和导入到上述第1沟道导电类型的薄膜晶体管的与设置在上述栅电极处的开口部相对应的沟道区中的杂质导入。