[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

在使用了液晶或有机EL的显示装置中，多个像素被排列成矩阵(matrix)状。在各像素中，薄膜晶体管(Thin Film Transistors：以下，示作TFT)被用作开关(switching)元件，与用于驱动液晶的像素电极或扫描信号布线、图像信号布线连接。

现有的TFT主要用非晶硅(Amorphous Silicon：以下，称为a-Si)膜作为半导体层的材料，但近年来，正在实现将多晶硅(PolySilicon：以下，称为p-Si)膜作为半导体层的材料的TFT的实用化。将p-Si用作半导体层的TFT，是由于其迁移率大并具有良好的半导体特性的缘故。因此，不仅是开关元件的TFT，也可以用作使这些开关元件工作的驱动电路元件。通过在阵列(array)基板上制作驱动电路，从而具有驱动用的IC(Integrated Circuit：集成电路)无需安装等优点。因此，正在期待产品的低成本(cost)化、高功能化、高集成化等成为可能。

例如，在液晶显示装置的情况下，如图9所示，通过在绝缘性基板上将TFT、信号布线及像素电极等在所希望的位置、结构上形成，来形成阵列基板110。

在阵列基板110上，设置显示区111和被设置成包围显示区111的边框区112。在该显示区111上，形成多条栅布线(扫描信号线)113和多条源布线(显示信号线)114。多条栅布线113被平行地设置。同样地，多条源布线114也被平行地设置。栅布线113与源布线114相互交叉形成。栅布线113与源布线114正交。被邻接的栅布线113和源布线114包围的区域成为像素117。因此，在阵列基板110上，像素117被排列成矩阵状。

进而，在阵列基板110的边框区112上，设置扫描信号驱动电路115和显示信号驱动电路116。栅布线113从显示区111延伸至边框区112。然后，栅布线113在阵列基板110的端部与扫描信号驱动电路115连接。源布线114也同样地，从显示区111延伸至边框区112。然后，源布线114在阵列基板110的端部与显示信号驱动电路116连接。在扫描信号驱动电路115的附近，经端子连接部分，连接外部布线118。另外，在显示信号驱动电路116的附近，经端子部，连接外部布线119。外部布线118、119例如是FPC(Flexible Printed Circuit：柔性印刷电路)等的布线基板。

从外部布线118、119分别对扫描信号驱动电路115和显示信号驱动电路116供给各种信号。扫描信号驱动电路115根据来自外部的控制信号，将栅信号(扫描信号)供给栅布线113。由该栅信号依次选择栅布线113。显示信号驱动电路116根据来自外部的控制信号或显示数据(data)，将显示信号提供给源布线114。由此，可将与显示数据对应的显示电压提供给各像素117。

在像素117内，至少形成1个TFT120。TFT120被配置在源布线114与栅布线113的交叉点附近。例如，该TFT120将显示电压提供给像素电极。即，利用来自栅布线113的栅信号，使作为开关元件的TFT120导通(on)。由此，从源布线114向与TFT120的漏电极连接的像素电极施加显示电压。然后，在像素电极与对置电极之间，产生与显示电压对应的电场。再有，在阵列基板110的表面上，形成取向膜(未图示)。

进而，与阵列基板110相向地，配置对置基板。对置基板例如是滤色层(color filter)基板，被配置在目视侧。在对置基板上，形成滤色层、黑矩阵(black matrix)(BM)、对置电极和取向膜等。再有，在IPS(In-Plane Switching：面内开关)等的情况下，对置电极也往往被配置在阵列基板110侧。然后，液晶层被夹持在阵列基板110与对置基板之间。即，在阵列基板110与对置基板之间导入液晶。进而，在阵列基板110与对置基板的外侧的面上，设置偏振片和延迟片等。另外，在液晶显示面板(panel)的目视侧相反侧，配置背光单元(backlight unit)等。

液晶受像素电极与对置电极之间的电场驱动。即，基板间的液晶的取向方向改变。由此，通过液晶层的光的偏振状态改变。即，通过偏振片成为线偏振光的光的偏振状态被液晶层改变。具体地说，来自背光单元的光因阵列基板侧的偏振片而变成线偏振光。然后，偏振状态因该线偏振光通过液晶层而改变。