[发明专利]定影装置,使用该定影装置的图像形成装置有效

专利信息
申请号: 200710137388.X 申请日: 2007-07-25
公开(公告)号: CN101118407A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 伊藤明子;小川祯史;瀬尾洋 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: G03G15/20 分类号: G03G15/20;G03G15/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王冉;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 定影 装置 使用 图像 形成
【权利要求书】:

1.一种定影装置,包括:

定影回转体,设有通过磁通发热的发热层;

加压回转体,与所述定影回转体相接,并推压所述定影回转体;

其中,使得图像定影在从所述定影回转体与加压回转体之间通过的记录介质上;其特征在于:

至少所述定影回转体设有通过加压回转体的推压产生变形的整磁层;

在所述整磁层内侧,所述定影回转体设有绝热弹性体层;且

所述绝热弹性体层包括单层或多层的导电体层和设置在所述单层导电体层的内侧和外侧或在多层导电体层情况下最外层导电体层内侧和外侧的包括弹性体的绝热部,且在设有多层的导电层的情况下,至少最外侧的导电体层通过加压回转体的推压产生变形。

2.根据权利要求1中记载的定影装置,其特征在于:

所述整磁层为单层,由包含铁,镍的合金材料构成,并且,其具有通过所述加压回转体的相接、推压所产生的力能够产生变形的厚度。

3.根据权利要求2中记载的定影装置,其特征在于:

所述整磁层的厚度为150μm以下。

4.根据权利要求1-3的任意一项中记载的定影装置,其特征在于:

所述整磁层是在能够变形的底层上施行电镀形成。

5.根据权利要求1-3的任意一项中记载的定影装置,其特征在于:

所述整磁层由居里点为100-300℃的磁性体构成。

6.根据权利要求1中记载的定影装置,其特征在于:

所述整磁层的热传导率设定为11W/mk;

外侧绝热部由热传导率为0.1W/mk的发泡聚硅氧烷橡胶形成。

7.根据权利要求1中记载的定影装置,其特征在于:

将发生磁通的磁通发生部配置在定影回转体的外侧,并且,所述导电体层的体积电阻率比整磁层的体积电阻率低。

8.根据权利要求1中记载的定影装置,其特征在于:

在所述导电体层包括多层时,至少最外侧的导电体层通过所述加压回转体的推压产生变形。

9.根据权利要求8中记载的定影装置,其特征在于:

所述位于最外侧的导电体层外侧的绝热部的热传导率比位于所述最外侧的导电体层内侧的绝热部的热传导率低。

10.根据权利要求1-3中任一项记载的定影装置,其特征在于:

所述定影回转体是辊、套筒、以及带的任意一种。

11.一种图像形成装置,其特征在于:

使用权利要求1-3的任意一项中记载的定影装置。

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