[发明专利]具防电磁干扰结构的集成电路封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装结构，尤其涉及一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构。

背景技术

在配备麦克风的集成电路元件产品方面，对微机电麦克风的需求有扩大的趋势。举例说，目前在全球手机厂商的倾向上，除了通话必需的麦克风需求外，在为摄影功能另外再配备一麦克风，以符合实际使用上的方便。此方面的设计，目前也慢慢出现在采用微硬盘或闪存(flash memory)的携带型音频和数字相机产品上，因此微机电麦克风有可能未来在上述应用领域上，占有可观的市场占有率。

微机电麦克风不仅厚度薄、体积小，还可通过回流焊接(solder reflow)进行表面粘着工艺，可有效地减少组装成本。因此面对手机等要求体积小与成本低的用途，机电麦克风正在逐步地占领原有电容式麦克风(ECM，ElectricCondenser Microphone)的市场，另外由于微机电麦克风有低耗电量(160uA)的先天优势，相较于电容式麦克风来说，其耗电量约为电容式麦克风的1/3而已，对于有限储电量的手机应用而言，此省电的优点也是促使以微机电麦克风取代电容式麦克风一个显著的推手。

电磁感扰的防护设计，一直是半导体产业的核心设计项目之一，因此在此方面的专利可说是多如牛毛不计其数，例如前案的美国专利US 6867480(如图1的现有技术所示)在集成电路元件10及其电性交连(electricalinterconnection)处11，先以一具导电或电磁干扰防护的包覆材料层12披覆或全部覆盖，然后再以模成型(molding transfer)将不具导电的塑料化合物材料13，覆盖于所有基板14上的元件以形成保护作用。前案的美国专利US5,371,404针对在已有底胶填充(underfill)材料保护的覆晶(flip chip)形式的集成电路元件，以模成型工艺将具导电颗粒填充的塑料化合物材料，覆盖于承载基板合其上方所有元件上，以同时达到电磁干扰防护与高导热系数的双重目的。前案的美国专利US6,649,446为了达到气密(hermetic sealing)的封装目的，在已有底胶填充材料保护的覆晶格式的集成电路元件区域与所有承载基板表面，以镀层的方式将不具导电属性的半导体合成材料，如碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)等等覆盖在前述元件的表面，最后再以模成型将不具导电的塑料化合物材料，覆盖于所有元件上以形成保护作用。

上述诸前案中如US6,649,446较适用于覆晶接合型态的封装件，对于打线接合型态则不适用；又如US 5,371,404乙案也仅适用于覆晶接合封装件，且其封装的塑料保护材料属具有导电性，容易对周边元件造成影响；前案US6,867,480中，虽其塑料保护层属非导电性，但对于半导体元件的电性交连接点尚未具有电性隔离保护的结构，如的半导体芯片焊线(wire bonding)交连机制。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构，同时适用于打线接合与封装接合的形态，以介电包覆层与抗电磁干扰层的双层接续披覆的方式，在封装结构上形成整个防护外罩保护层。

为实现上述目的，本发明提供一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构，包含：一承载基板具有多个焊垫与多个裸露的接地金属区于其上表面；一集成电路元件置于承载基板上，并与承载基板的焊垫形成电性接合；一介电包覆层包覆集成电路元件电性接合区与承载基板，但裸露出承载基板的接地金属区；以及一抗电磁干扰层包覆介电包覆层与承载基板的接地金属区。

本案采用双层接续披覆的方式，分别将介电层(即绝缘披覆层)与抗电磁干扰层，依序形成于承载基板与其上方的所有元件，且通过与防电磁干扰保护层与承载基板上表面裸露的金属接地区域的贴附接合，而将整个防护外罩由上方的防电磁干扰保护层、串联承载基板的下方的接地平板，而形成完整的封闭防电磁干扰空间，除对半导体元件的电性接合部位产生电性隔离保护作用之外，也可完全地隔离外界电磁波的干扰。

附图说明

图1为现有技术的电磁干扰防护封装结构；

图2为本发明具防电磁干扰结构的集成电路封装结构的表面包覆式实施例的剖面结构示意图；

图3为图2的附加塑料保护层实施例的剖面结构示意图；

图4为本发明具防电磁干扰结构的集成电路封装结构的总体包覆式实施例的剖面结构示意图；

图5为图4的附加塑料保护层实施例的剖面结构示意图；及

图6为本发明具防电磁干扰结构的集成电路封装结构的协同多个半导体元件的实施例。

其中，附图标记：