[发明专利]用于磁盘的玻璃基板及其制造方法,以及磁盘无效

专利信息
申请号: 200710137931.6 申请日: 2007-07-17
公开(公告)号: CN101108467A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 臼井寛;宮原修;宮谷克明;金喜則;吉田伊織 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: B24B29/00 分类号: B24B29/00;B24B7/24;C09G1/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 磁盘 玻璃 及其 制造 方法 以及
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用于磁盘的玻璃基板,用来抛光所述玻璃基板的主表面的方法,以及磁盘。

背景技术

近年来,对于安装在硬盘驱动器之类的信息处理装置中的磁盘的高记录密度的要求在持续增加,在此情况下,目前玻璃基板广泛用来代替常规的铝基板。

对高记录密度的要求在不断提高,为了满足这种要求,人们提出了一种使用包含胶态二氧化硅的抛光浆料的方法作为对玻璃基板的主表面进行高精度抛光的方法(例如专利文献1和2)。

专利文献1所揭示的方法是将碱加在包含胶态二氧化硅的抛光液中,将抛光液的pH值调节到高于10.2,最高为12。

专利文献2中所揭示的方法是通过使用专利文献1所述的方法,使用包含由有机硅氧烷化合物水解形成的胶态二氧化硅的磨粒作为磨粒,解决了在主表面上形成很小的凸出物的问题。

专利文献1:  JP-A-2003-173518

专利文献2:  JP-A-2006-82138

专利文献2所揭示的使用通过有机硅氧烷化合物水解形成的胶态二氧化硅的方法具有以下的问题:这种胶态二氧化硅与通过常规硅酸钠法制得的胶态二氧化硅相比成本很高,几乎不适于制造需要能以低成本获得的用于磁盘的玻璃基板。

另外,考虑即使使用由常规的硅酸钠法制得的胶态二氧化硅,也可以通过使用软抛光垫将表面糙度减小到一定的范围。但是在这种情况下,抛光所需的时间会很长。

另外,考虑可以通过延长抛光时间将表面糙度减小的一定的范围,但是形成很小的凸起物的问题几乎无法解决。

在此情况下,本发明的一个目的是提供即使胶态二氧化硅不是由有机硅氧烷化合物水解生成的,也能够克服上述问题(例如能够以高精度抛光玻璃基板的主表面)的方法。

以上很小的凸起物是所谓的通过掩蔽形成的凸起缺陷。所述凸起缺陷是抛光之后形成的很小凸起物,这是由于在抛光过程中,在覆盖有例如附着于基板的凝胶状二氧化硅的基板上的很小部分的去除速率与该基板的其它部分相比是很小的。

发明内容

本发明提供了一种方法,该方法通过抛光圆形玻璃板,制备用于磁盘的玻璃基板,该方法包括以下步骤:使用包含至少一种水溶性聚合物和胶态二氧化硅的浆料(下文中将这种浆料称为本发明的浆料)抛光圆形玻璃板的主表面,所述至少一种水溶性聚合物选自:具有氨基的水溶性有机聚合物、包含胺盐基团的水溶性有机聚合物、以及包含季铵盐基团的水溶性有机聚合物。

本发明还提供了一种用于磁盘的玻璃基板,通过原子力显微镜测得的主表面的算术平均糙度(下文中将算数平均糙度称为Ra)最多为0.16纳米,主表面外周部分的下降度(degree of roll-off)最多为50纳米。

此处,本发明中的下降度将在下文中进行描述。

附图说明

图1是包括主表面的外周部分(outer peripheral portion)、倒角平面(chamferedplane)和外周缘表面的部分的截面示意图。

符号“a”表示倒角平面,b表示外周缘表面,c表示主表面外周部分,d表示倒角平面“a”和主表面外周部分c之间的边界。

图1中的虚线是用来确定下降度(在边缘部分弯曲(sagging))程度的基线g。该基线g定为在向着所述主表面外周部分c上主表面中心方向,在距离边界d2.5-5毫米的部分与部分f重叠的直线,或者与部分f最接近的直线。

在主表面外周部分c上,朝向主表面中心、距离边界d 0.25-5毫米的部分是下降测量区域e。

下降度等于下降测量区域e中的主表面外周部分c距离基线g的最大高度和最小高度之差。当主表面外周部分c位于基线g以上时,该高度是正值,当主表面外周部分c位于基线g以下时,该高度是负值。

另外,本发明提供了磁盘,该磁盘包括通过上述用来制备用于磁盘的玻璃基板的方法制造的用于磁盘的玻璃基板或者上述的用于磁盘的玻璃基板,以及层叠在所述玻璃基板上的多层,这多层包括为记录层的磁层。

本发明人发现当使用高硬度抛光垫、以及其中包含胶态二氧化硅并且添加有聚氧丙烯二胺的的浆料抛光圆形玻璃板的主表面时,与在不加入聚氧丙烯二胺的条件下进行抛光的情况相比,前者的Ra很低。基于该发现完成了本发明。

根据用来制造本发明的用于磁盘的玻璃基板的方法,即使在使用具有高硬度的抛光垫的情况下,仍可制得常规方法尚未能制得的Ra最多为0.16纳米的用于磁盘的玻璃基板。

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