[发明专利]应变沟道MOS元件有效
| 申请号： | 200710138023.9 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118928A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 mos 元件 | ||
1.一种应变沟道MOS元件，其特征在于包括：
一MOS作用区，包括：
一底半导体层；
一绝缘层，配置于该底半导体层之上；及
一顶半导体层，配置于该绝缘层之上；
一MOS元件，位于该MOS作用区上，且包括一栅极结构以及一沟道层；以及
一部分氧化的顶半导体层，选择性地于沟道层中形成一应变，且该绝缘层与该部分氧化的顶半导体层结合成一扩大绝缘区，其中该扩大绝缘区的两侧邻接于该MOS元件的源极/漏极区，且该扩大绝缘区于邻接该源极/漏极区形成鸟嘴形状，且该扩大绝缘区于该顶半导体层的底部形成一凹面朝上的曲面。
2.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于更包括填充有一导体材质的凹陷区，其中该凹陷区位于邻接于MOS元件的相反两侧用以形成源极/漏极区。
3.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于更包括具有一导体材质且提高的源极/漏极区。
4.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的MOS作用区借由邻接的电绝缘结构电绝缘，且该电绝缘结构为浅沟槽绝缘层结构。
5.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的MOS作用区在邻接表面上提高。
6.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的绝缘层包括一氧化埋层。
7.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的绝缘层的厚度小于20nm。
8.根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的MOS元件包括一PMOS元件，且与邻接的该NMOS元件电绝缘，其中一NMOS元件形成于一NMOS作用区上。
9.根据权利要求8所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的应变为一压应变，该压应变选择性地产生于PMOS元件沟道层上，且该压应变不影响该NMOS元件区的应变。
10.根据权利要求8所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的NMOS元件形成于底半导体层上。
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