[发明专利]半导体器件中的TiSiN层

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成栅电极，并在所述栅电极的侧壁上形成间隔件；

在所述半导体衬底中形成源区和漏区；以及

分别在所述栅电极、所述源区、和所述漏区上形成TiSiN层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述TiSiN层包括：

在化学气相沉积室内将四二甲基氨钛源热分解，以沉积TiN层；

对所述TiN层执行等离子体处理，以除去包含在所述四二甲基氨钛中的杂质；以及

使硅烷流入已经除去所述杂质的所述TiN层，以形成所述TiSiN层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述四二甲基氨钛的热分解工艺是在从300到500摄氏度范围内的温度下执行的。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述四二甲基氨钛是利用氦气载入所述化学气相沉积室的。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述四二甲基氨钛是通过直接液体注射法载入所述化学气相沉积室的。

6.如权利要求2所述的方法，其中，所述等离子体处理是利用非挥发性材料来执行的。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述非挥发性材料包括H₂和N₂气体中的至少一种。

8.如权利要求2所述的方法，其中，所述硅烷以10～5000sccm的速率流入20～360秒。

9.如权利要求2所述的方法，还包括执行湿法蚀刻工艺，以除去未与硅反应的钛。

10.如权利要求2所述的方法，还包括在形成所述TiSiN层之后，对所述TiSiN层执行热处理工艺。

11.一种半导体器件，包括：

栅电极，

间隔件，形成于所述栅电极的侧壁上；以及

源区和漏区；

其中，在所述栅电极、所述源区、和所述漏区上分别形成有TiSiN层。

12.如权利要求11所述的器件，其中，形成所述TiSiN层的工艺包括：

在化学气相沉积室内将四二甲基氨钛源热分解，以沉积TiN层；

对所述TiN层执行等离子体处理，以除去包含在所述四二甲基氨钛中的杂质；以及

使硅烷流入从已经除去所述杂质的的所述TiN层，形成所述TiSiN层。

13.如权利要求12所述的器件，其中，所述四二甲基氨钛的热分解工艺是在从300到500摄氏度范围内的温度下执行的。

14.如权利要求12所述的器件，其中，所述四二甲基氨钛是利用氦气载入所述化学气相沉积室的。

15.如权利要求12所述的器件，其中，所述四二甲基氨钛是通过直接液体注射法载入所述化学气相沉积室的。

16.如权利要求12所述的器件，其中，所述等离子体处理是利用非挥发性材料来执行的。

17.如权利要求16所述的器件，其中，所述非挥发性材料包括H₂和N₂气体中的至少一种。

18.如权利要求12所述的器件，其中，所述硅烷以从10到5000sccm的速率流入20～360秒。

19.如权利要求12所述的器件，其中，执行湿法蚀刻工艺，以除去未与硅反应的钛。

20.如权利要求12所述的器件，其中，在形成所述TiSiN层之后，对所述TiSiN层执行热处理工艺。