[发明专利]主动元件阵列基板有效
申请号: | 200710138663.X | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101350356A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 刘文雄;何建国 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
1.一种有源元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板,具有一周边电路区与一显示区;
一像素阵列,配置于该显示区上;
多个接垫,配置于该周边电路区上,并与该像素阵列电性连接;
多个第一开关元件,配置该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,且各该第一开关元件分别与该些接垫的其中之一电性连接,其中各该第一开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极与该源极电性连接,且该栅极与该接垫电性连接;以及
多个第二开关元件,配置于该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,且各该第二开关元件分别电性连接于两相邻的该些第一开关元件,其中各该第二开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,而该源极与相邻的该第一开关元件的该漏极电性连接,且该漏极与相邻的该第一开关元件的该源极电性连接。
2.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其特征在于,各该第二开关元件的该栅极为一浮动栅极。
3.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其特征在于,各该第二开关元件的该栅极与该源极电性连接。
4.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其特征在于,还包括一连接线,配置于该周边电路区上,并位于该些第一开关元件与该些第二开关元件的外侧,且各该第二开关元件的该源极电性连接至该连接线,且各该第二开关元件的该栅极为一浮动栅极。
5.如权利要求1所述的有源元件阵列基板,其特征在于,该些接垫包括数据线接垫或扫描线接垫。
6.一种有源元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板,具有一周边电路区与一显示区;
一像素阵列,配置于该显示区上;
多个接垫,配置于该周边电路区上,并与该像素阵列电性连接;
多个第一开关元件,配置于该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,而各该第一开关元件分别与该些接垫其中之一电性连接,且各该第一开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,其中该栅极与该源极电性连接,而该栅极与该接垫电性连接,且该漏极为浮动漏极;以及
多个第二开关元件,配置于该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,且各该第二开关元件分别与该些第一开关元件其中之一电性连接,其中各该第二开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,而该漏极与该第一开关元件的该源极电性连接,且该源极为浮动源极,该栅极为浮动栅极。
7.如权利要求6所述的有源元件阵列基板,其特征在于,该些接垫包括数据线接垫或扫描线接垫。
8.一种有源元件阵列基板,其特征在于,包括:
一基板,具有一周边电路区与一显示区;
一像素阵列,配置于该显示区上;
多个接垫,配置于该周边电路区上,并与该像素阵列电性连接;
多个第一开关元件,配置于该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,且各该第一开关元件分别与该些接垫其中之一电性连接,其中各该第一开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,该栅极与该源极电性连接,且该栅极与该接垫电性连接;
多个第二开关元件,配置于该周边电路区上,并位于该些接垫外侧,且各该第二开关元件分别电性连接于两相邻的该些第一开关元件,其中各该第二开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,而该源极与相邻的该第一开关元件的该漏极电性连接,且该漏极与相邻的该第一开关元件的该源极电性连接;以及
一外部静电放电保护环,配置于该周边电路区上,并位于该些第一开关元件与该些第二开关元件外侧,各该第二开关元件的该栅极电性连接至该外部静电放电保护环。
9.如权利要求8所述的有源元件阵列基板,其特征在于,各该第二开关元件的该源极电性连接至该外部静电放电保护环。
10.如权利要求8所述的有源元件阵列基板,其特征在于,各该第二开关元件的该栅极与该源极电性连接。
11.如权利要求8所述的有源元件阵列基板,其特征在于,还包括一连接线,配置于该周边电路区上,并位于该些第一开关元件与该些第二开关元件的外侧以及该外部静电放电保护环的内侧,且各该第二开关元件的该源极电性连接至该连接线,且各该第二开关元件的该栅极电性连接至该外部静电放电保护环。
12.如权利要求8所述的有源元件阵列基板,其特征在于,该些接垫包括数据线接垫或扫描线接垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的