[发明专利]主动元件阵列基板有效
申请号: | 200710138663.X | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101350356A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 刘文雄;何建国 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
技术领域
本发明是有关于一种阵列基板,且特别是有关于一种有源元件阵列基板。
背景技术
由于显示器的需求与日俱增,因此业界全力投入相关显示器的发展。其中,又以阴极射线管(cathode ray tube,CRT)因具有优异的显示品质与技术成熟性,因此长年独占显示器市场。然而,近来由于绿色环保概念的兴起对于其能源消耗较大与产生辐射量较大的特性,加上产品扁平化空间有限,因此无法满足市场对于轻、薄、短、小、美以及低消耗功率的市场趋势。因此,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)逐渐成为市场的主流。
以薄膜晶体管液晶显示模组(TFT-LCD module)而言,其主要是由一液晶显示面板(liquid crystal display panel)及一背光模组(backlight module)所构成。其中,液晶显示面板通常是由一薄膜晶体管阵列基板(thin film transistorarray substrate)、一彩色滤光基板(color filter substrate)与配置于此两基板间的一液晶层所构成,而背光模组用以提供此液晶显示面板所需的面光源,以使液晶显示模组达到显示的效果。
薄膜晶体管阵列基板可分为显示区(display region)与周边线路区(peripheral circuit region),其中在显示区上配置有以阵列排列的多个像素单元,而每一像素单元包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极(pixelelectrode)。另外,在周边线路区与显示区上内配置有多条扫描配线(scan line)与数据配线(data line),其中每一个像素单元的薄膜晶体管由对应的扫描配线与数据配线所控制。
为了避免在制造过程中产生静电破坏的问题,通常会于薄膜晶体管阵列基板的周边线路区上配置一静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护线路,其中静电放电保护线路包括外部静电放电保护环(outer short ring,OSR)以及内部静电放电保护环(inner short ring,ISR)。在完成整个薄膜晶体管阵列基板的制作之后,通常会进行一切割工艺,以移除外部静电放电保护环。然而,移除外部静电放电保护环后的薄膜晶体管阵列基板对于静电放电的防护能力便下降。
发明内容
本发明所要解决的问题是提供一种有源元件阵列基板,以提高静电放电防护能力。
本发明提出一种有源元件阵列基板,其包括一基板、一像素阵列、多个接垫、多个第一开关元件与多个第二开关元件。其中,基板具有一周边电路区与一显示区,而像素阵列配置于显示区上。接垫配置于周边电路区上,并与像素阵列电性连接。第一开关元件配置于该周边电路区上,并位于接垫外侧,且各第一开关元件分别与这些接垫其中之一电性连接。各第一开关元件具有一栅极、一源极与一漏极,其中栅极与源极电性连接,且栅极与接垫电性连接。第二开关元件配置于周边电路区上,并位于这些接垫外侧。各第二开关元件分别电性连接于两相邻的第一开关元件,而各第二开关元件具有一栅极、一源极与一漏极。其中,源极与相邻的第一开关元件的漏极电性连接,且漏极与相邻的第一开关元件的源极电性连接。
在本发明的有源元件阵列基板中,各第二开关元件的栅极为一浮动栅极。
在本发明的有源元件阵列基板中,各第二开关元件的栅极与源极电性连接。
在本发明的有源元件阵列基板中,有源元件阵列基板还包括一连接线,其配置于周边电路区上,并位于第一开关元件与第二开关元件的外侧。各第二开关元件的源极电性连接至连接线,且各第二开关元件的栅极为一浮动栅极。
在本发明的有源元件阵列基板中,这些接垫包括数据线接垫或扫描线接垫。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710138663.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:两级运算放大器的宽带共模反馈环路频率补偿方法
- 下一篇:电容器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的