[发明专利]电光装置用基板及电光装置以及电子设备有效
申请号: | 200710139022.6 | 申请日: | 2007-07-23 |
公开(公告)号: | CN101115333A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 石井达也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H05B33/26;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 用基板 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及例如用于液晶装置等的电光装置中的电光装置用基板,及具备该电光装置用基板的电光装置,以及具备有该电光装置的,例如液晶投影机等的电子设备的技术领域。
背景技术
作为这种电光装置的一例的液晶装置,不仅用作直视型显示器,例如还多用作投影型显示装置的光调制单元(光阀)。尤其在投影型显示装置的情况下,因为来自光源的强光入射液晶光阀,所以为了不因该光而使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor,薄膜晶体管)发生泄漏电流的增大、误动作等,作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内置于液晶光阀内。关于如此的遮光单元或者遮光膜,例如专利文献1,公开了在TFT的沟道区域中,通过作为栅电极而起作用的扫描线进行遮光的技术。若依照于专利文献2,则通过设置形成于沟道区域上的多层遮光膜,和对内面反射光进行吸收的层而减少到达TFT的沟道区域的光。专利文献3,公开了可以确保TFT的合适的工作及使扫描线狭窄化,并尽量减少入射TFT的沟道区域的入射光的技术。
另一方面,在这种电光装置中,在基板上的形成有遮光膜的区域,即在基板上不使光透射的区域,设置通过暂时保持供给于像素电极的图像信号而将像素电极的电位保持一定期间的保持电容。如此的保持电容,还能够将为该保持电容的构成要件的电极兼用作遮光膜,并对TFT进行遮光。
【专利文献1】特开2004-4722号公报
【专利文献2】特许3731447号公报
【专利文献3】特开2003-262888号公报
但是,例如,在形成于沟道区域和源漏区域之间的,例如LDD(LightlyDoped Drain,轻掺杂漏)区域等的结区域照射了光的情况下,有在结区域产生光泄漏电流的问题点。对于如此的问题点,虽然可考虑在沟道区域的两侧的各自的结区域上设置遮光单元,但是从显示性能的观点则优选:使在像素中光实际透射的开口区域狭窄。另一方面,本申请发明人推测:在连接于像素电极的源漏区域和沟道区域之间形成的结区域照射了光的情况下,与在连接于数据线的源漏区域和沟道区域之间形成的结区域照射了光的情况相比较,TFT中的光泄漏电流更容易产生。
发明内容
本发明鉴于上述问题点等所作出,例如,为以有源矩阵方式所驱动的液晶装置等的电光装置,目的在于提供用于实现高的开口率,并可以有效减少TFT中的光泄漏电流的发生的电光装置中的电光装置用基板,及具备有如此的电光装置用基板的电光装置,以及电子设备。
本发明中的第1电光装置用基板为了解决上述问题,具备:基板;多条数据线及多条扫描线,其在前述基板上互相交叉;像素电极,其与前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处对应,且分别形成于构成前述基板上的显示区域的多个像素;晶体管,其设置于互相隔开前述多个像素的各自的开口区域的非开口区域,包括具有以下区域的半导体层:具有沿前述显示区域中的一个方向的沟道长的沟道区域,电连接于前述数据线的数据线侧源漏区域,电连接于前述像素电极的像素电极侧源漏区域,形成于前述沟道区域及前述数据线侧源漏区域间的第1结区域,和形成于前述沟道区域及前述像素电极侧源漏区域间的第2结区域;和遮光部,其形成于与前述半导体层相比的上层侧,具有沿前述一个方向延伸并覆盖前述第1结区域的第1部分,和覆盖前述第2结区域的第2部分,与前述第1部分相比,该第2部分在相交于前述一个方向的另一个方向上的宽度宽。
若依照于本发明中的第1电光装置用基板,例如,可从数据线向像素电极控制图像信号,可以进行由所谓有源矩阵方式引起的图像显示。再者,图像信号,通过开关电连接于数据线及像素电极间的晶体管,以预定的定时从数据线通过晶体管供给像素电极。像素电极,是由例如ITO(IndiumTin Oxide,氧化铟锡)等的透明导电材料构成的透明电极,对应于数据线及扫描线的交叉,矩阵状地多个设置于在基板上应当成为显示区域的区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710139022.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。