[发明专利]通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块有效
| 申请号： | 200710139808.8 | 申请日： | 2007-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101132112A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 神山博幸;向久保优;井上宏明;北原知之 | 申请（专利权）人： | 日本光进株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343;H04B10/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通信 半导体激光器 制造 方法 发送 模块 | ||
1.通信用半导体激光器的制造方法，其特征在于，该方法包含使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出15mW以上的光输出一定的筛选过程。
2.权利要求1所述的通信用半导体激光器的制造方法，其特征在于，包含使用初期光输出20mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出20mW以上的光输出一定的筛选过程。
3.通信用半导体激光器的制造方法，其特征在于，该方法包含使用初期光输出为饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或者光输出是饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选过程。
4.权利要求3所述的通信用半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述的通信用半导体激光器是面发光型激光器。
5.权利要求1～4中任一项所述的通信用半导体激光器的制造方法，其特征在于，作为半导体激光器的活性层，使用与InGaAsP相比其可靠性容易受到晶体缺陷的影响的材料。
6.通信用半导体激光器，其特征在于，该激光器是经过使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出15mW以上的光输出一定的筛选过程而制成的。
7.权利要求6所述的通信用半导体激光器，其特征在于，该激光器是经过使用初期光输出20mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出20mW以上的光输出一定的筛选过程而制成的。
8.通信用半导体激光器，其特征在于，该激光器是经过使用初期光输出为饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或者光输出为饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选过程而制成的。
9.权利要求8所述的通信用半导体激光器，其特征在于，所述的通信用半导体激光器是面发光型激光器。
10.权利要求6～9中任一项所述的通信用半导体激光器，其特征在于，作为半导体激光器的活性层，使用与InGaAsP相比其可靠性容易受到晶体缺陷的影响的材料。
11.权利要求6～9中任一项所述的通信用半导体激光器，其特征在于，所述的通信用半导体激光器的活性层是InGaAlAs、AlGaAs或者GaInNAs。
12.光发送模块，在机壳中装载有通信用半导体激光器、驱动该通信用激光器的驱动器、以及监控上述通信用半导体激光器的输出的光电二极管，其特征在于，所述的通信用半导体激光器是经过使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出15mW以上的光输出一定的筛选过程而制成的。
13.光发送模块，在机壳中装载有通信用半导体激光器、驱动该通信用激光器的驱动器、以及监控上述通信用半导体激光器的输出的光电二极管，其特征在于，所述的通信用半导体激光器是经过使用初期光输出为饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或者光输出为饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选过程而制成的。
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