[发明专利]通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块

说明书

技术领域

本发明涉及通信用半导体激光器的制造方法、通信用半导体激光器及光发送模块，特别涉及可靠性优异的通信用半导体激光器的制造方法、通信用半导体激光器以及光发送模块。

背景技术

如图1所示的失效率曲线所示，制造物的故障方式可以大致分为初期故障、偶发故障、磨损故障3种。进行筛选(screening)试验的意义在于，在短时间内去除半导体激光器的初期故障品，以具有充分的预期寿命的状态投入市场。

作为用于排除光通信用半导体激光器的初期故障品的筛选试验，一般是在60℃～150℃、100mA～200mA的条件进行的高温、大电流的试验。作为这种试验的一个例子，有专利文献1记载的技术。

另外，在非专利文献1中，记载了在高温下工作的法布里-珀罗结构的InGaAlAs直接调制激光器。

专利文献1：特开平10一303496号公报

非专利文献1：R.Paoletti et al.，“Highly reliable and high yield 1300nmInGaAlAs directly modulated ridge Fabry-Perot lasers，operating at 10Gb/s，upto110℃with constant current swing”，PDP 15，OFC 2005

发明内容

非专利文献1中记载的活性层材料InGaAlAs，作为通信用激光器的历史很短。另外，人们已经知道，与InGaAsP相比，InGaAlAs的晶体缺陷比较多。而且，关于使用晶体缺陷较多的活性材料的通信用激光器的故障方式，目前还有一些地方解释不清楚。因此，对于InGaAlAs激光器的制造过程中包含的筛选试验条件的研究还不够充分。本发明的目的在于，确定活性层组成使用晶体缺陷较多的组成的通信用激光器的筛选条件，提供可靠性高的通信用激光器。作为晶体缺陷比InGaAsP多的组成，除了InGaAlAs外，已知的还有AlGaAs、GaInNAs等。

上述任务可以通过下面所述的通信用半导体激光器制造方法来实现，所述的制造方法包含使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或光输出15mW以上的光输出一定的筛选工序，或者，所述的制造方法包含使用初期光输出是饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或光输出是饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选工序。

另外，上述任务可以通过下面所述的通信用半导体激光器来实现，所述的半导体激光器是经过使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或光输出15mW以上的光输出一定的筛选工序而制成的通信用半导体激光器，或者是经过使用初期光输出是饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或光输出是饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选工序而制成的通信用半导体激光器。

再有，上述任务可以通过下面所述的光发送模块来实现：在机壳中装载有通信用半导体激光器、驱动通信用激光器的驱动器以及监控通信用半导体激光器的输出的光电二极管，通信用半导体激光器是经过在初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或光输出15mW以上的光输出一定的筛选工序而制成的；或者，在机壳中装载有通信用半导体激光器、驱动通信用激光器的驱动器以及监控通信用半导体激光器的输出的光电二极管，通信用半导体激光器是经过使用初期光输出为饱和光输出的50％以上的光输出、工作电流一定或光输出是饱和光输出的50％以上的光输出一定的筛选工序而制成的。

发明效果

按照本发明，可以确定活性体材料使用晶体缺陷较多的材料的通信用激光器的筛选条件。另外，可以提供可靠性高的通信用激光器。

附图说明

图1是说明制品的通电时间和故障发生次数的关系的图。

图2是说明由光输出量引起的初期故障方式的图。

图3是说明以温度作为参数的输入电力与光输出的关系(I-L特性)的图。

图4是说明光劣化时间与光输出的依存性的图。

图5是半导体激光器的光轴方向的断面图。

图6是半导体激光器的光轴方向的斜视局部断面图。

图7是说明半导体激光器元件的筛选工艺过程的图。

图8是光发送模块的原理框图。

图9是半导体激光器的光轴方向的断面图。

图10是半导体激光器的光轴方向的斜视局部断面图。

图11是面发光半导体激光器的断面图。

图12是面发光半导体激光器的光轴方向的斜视局部断面图。

符号说明