[发明专利]振荡器频率稳定装置及振荡器无效

专利信息
申请号: 200710140186.0 申请日: 2007-08-08
公开(公告)号: CN101364788A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 詹勋典 申请(专利权)人: 普诚科技股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/20;H03K19/0185
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 振荡器 频率 稳定 装置
【权利要求书】:

1.一种振荡器频率稳定装置,其特征在于,用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率不会随着输入电压改变,该振荡器频率稳定装置包括:

多个门装置,其包括多个金属氧化物半导体;

多个电压源,其耦接至该多个门装置,用以提供该输入电压;

多个电阻,其耦接至该多个门装置;

其中该多个门装置与该电压源产生一电流,该电流与该输入电压正相关。

2.根据权利要求1所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该振荡器为一RC振荡器。

3.根据权利要求1所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该多个门装置为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该多个电压源为二电压源,该二电压源与该多个门装置会产生该电流,该电流会影响该振荡器的频率。

5.根据权利要求1所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个门装置中的一第一金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个门装置中的一第二金属氧化物半导体的栅极。

6.根据权利要求1所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,当该输入电压下降时,该电流跟着下降,受到输入电压下降与电流下降互相补偿的影响,该振荡器的频率不因该输入电压下降而改变。

7.一种振荡器频率稳定装置,其特征在于,用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率不会随着输入电压改变,该振荡器频率稳定装置包括:

多个传输门,用以接收该输入电压以产生一电流;

多个电阻,用以控制该电流的值;

其中该电流与该输入电压正相关,该振荡器的频率受到该电流影响。

8.根据权利要求7所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该振荡器为一RC振荡器。

9.根据权利要求7所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该多个传输门为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

10.根据权利要求9所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个传输门中的一p型金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个传输门中的一n型金属氧化物半导体的栅极。

11.根据权利要求7所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,当该输入电压下降时,该电流跟着下降,受到输入电压下降与电流下降互相补偿的影响,该振荡器的频率不因该输入电压下降而改变。

12.根据权利要求7所述的振荡器频率稳定装置,其特征在于,更包括二电压源以提供该输入电压。

13.一种振荡器,其特征在于,包括一频率稳定装置,用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率不会随着输入电压改变,该频率稳定装置包括:

多个传输门,用以接收该输入电压以产生一电流;

多个电阻,用以控制该电流的值;

其中该电流与该输入电压正相关,该振荡器的频率受到该电流影响。

14.根据权利要求13所述的振荡器,其特征在于,该振荡器为一RC振荡器。

15.根据权利要求13所述的振荡器,其特征在于,该多个传输门为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

16.根据权利要求13所述的振荡器,其特征在于,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个传输门中的一p型金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个传输门中的一n型金属氧化物半导体的栅极。

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