[发明专利]振荡器频率稳定装置及振荡器无效

专利信息
申请号: 200710140186.0 申请日: 2007-08-08
公开(公告)号: CN101364788A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 詹勋典 申请(专利权)人: 普诚科技股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/20;H03K19/0185
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 振荡器 频率 稳定 装置
【说明书】:

技术领域

发明相关于一种振荡器频率稳定装置,尤指一种应用于RC振荡器的振荡器频率稳定装置。

背景技术

振荡器(oscillator)是用来产生重复同期性的信号(通常是正弦波或方波)的电子电路,主要可以分成两种:谐波振荡器(harmonic oscillator)与弛张振荡器(relaxation oscillator)。RC振荡器属于谐波振荡器的其中一种,在振荡电路中的频率选择部分中仅使用电阻和电容,而不用电感。

在一般的RC振荡器中,电压的大小会造成频率的改变,请参阅图1,图1显示不同电压时振荡器频率的改变,高电压波形11显示电压未改变时,振荡器产生的波形,当振荡器的电压变小的时候,波形会改变成低电压波形12,由于低电压波形12的振荡幅度小于高电压波形11,因此频率会上升,在同样的时间内,振荡器会产生较多周期的波形。

一般在振荡器中,频率往往和电压相关,而当振荡器电压不稳定时,即会造成振荡器频率改变,使电路造成误差,因此,如何设计一个振荡器频率稳定装置成为目前迫切需要的技术。

发明内容

因此,本发明的目的之一,在于提供一种振荡器频率稳定装置,其用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率不会改变,该振荡器频率稳定装置包括:多个门装置,其包括多个金属氧化物半导体;多个电压源,其耦接至该多个门装置,用以提供该输入电压;多个电阻,其耦接至该多个门装置。其中该多个门装置与该电压源产生一电流,该电流与该输入电压正相关。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该振荡器为一RC振荡器。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该多个门装置为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该多个电压源为二电压源,该二电压源与该多个门装置会产生该电流,该电流会影响该振荡器的频率。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个门装置中的一第一金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个门装置中的一第二金属氧化物半导体的栅极。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,当该输入电压下降时,该电流跟着下降,受到输入电压下降与电流下降互相补偿的影响,该振荡器的频率不因该输入电压下降而改变。

本发明另提供一种振荡器频率稳定装置,其用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率不会改变,该振荡器频率稳定装置包括:多个传输门,用以接收该输入电压以产生一电流;多个电阻,用以控制该电流的值;其中该电流与该输入电压正相关,该振荡器的频率受到该电流影响。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该振荡器为一RC振荡器。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该多个传输门为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个传输门中的一p型金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个传输门中的一n型金属氧化物半导体的栅极。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,当该输入电压下降时,该电流跟着下降,受到输入电压下降与电流下降互相补偿的影响,该振荡器的频率不因该输入电压下降而改变。

本发明所述的振荡器频率稳定装置,更包括二电压源以提供该输入电压。

本发明又提供一种振荡器,包括一频率稳定装置,用于稳定一振荡器的频率,使该振荡器在一输入电压改变时,该振荡器的频率变化会减小,该频率稳定装置包括:多个传输门,用以接收该输入电压以产生一电流;多个电阻,用以控制该电流的值;其中该电流与该输入电压正相关,该振荡器的频率受到该电流影响。

本发明所述的振荡器,该振荡器为一RC振荡器。

本发明所述的振荡器,该多个传输门为二传输门,该二传输门中每一个传输门分别包括一p型金属氧化物半导体以及一n型金属氧化物半导体。

本发明所述的振荡器,该多个电阻为二电阻,该二电阻中一第一电阻的第二端耦接至一第二电阻的第一端,该第一电阻的第一端耦接至该多个传输门中的一p型金属氧化物半导体的栅极,该第二电阻的第二端耦接至该多个传输门中的一n型金属氧化物半导体的栅极。

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