[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基底的方法

权利要求书

1、一种制造薄膜晶体管阵列基底的方法，包括：

在基底的整个表面上形成缓冲层；

在其上形成有缓冲层的基底上形成第一薄膜晶体管的半导体层、第二薄膜晶体管的半导体层和存储电容器的下电极图案，其中，第一薄膜晶体管是p沟道金属氧化物半导体薄膜晶体管，第二薄膜晶体管是n沟道金属氧化物半导体薄膜晶体管；

将第一离子注入到第一薄膜晶体管的半导体层、第二薄膜晶体管的半导体层和存储电容器的下电极图案中，以对第一薄膜晶体管的半导体层和第二薄膜晶体管的半导体层执行沟道掺杂，并形成存储电容器的下电极，其中，在注入第一离子之后，第一薄膜晶体管的半导体层、第二薄膜晶体管的半导体层和存储电容器的下电极中的第一离子的浓度的范围为5×10¹⁶原子/cm³至3×10¹⁷原子/cm³，第一离子包括磷或硼；

在基底的具有第一薄膜晶体管的半导体层、第二薄膜晶体管的半导体层和存储电容器的下电极的整个表面上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上的与其中将形成有第一薄膜晶体管的沟道的区域叠置的区域中形成第一薄膜晶体管的栅电极，在栅极绝缘层上的与其中将形成有第二薄膜晶体管的沟道的区域叠置的区域中形成第二薄膜晶体管的栅电极，在栅极绝缘层上的与存储电容器的下电极叠置的区域中形成存储电容器的上电极；

将第二离子注入到第二薄膜晶体管的半导体层中的其中将形成有第二薄膜晶体管的源区和漏区的区域中，从而形成以5×10²⁰原子/cm³至2×10²¹原子/cm³的浓度掺杂的第二薄膜晶体管的源区和漏区，其中，第二离子包括磷、砷、锑或铋；

将第三离子注入到第一薄膜晶体管的半导体层中，从而形成以5×10²⁰原子/cm³至2×10²¹原子/cm³的浓度掺杂的第一薄膜晶体管的源区和漏区，其中，第三离子包括硼、铝、镓或铟；

利用第二薄膜晶体管的栅电极作为掩模同时将第四离子注入到第二薄膜晶体管的半导体层和第一薄膜晶体管的半导体层中，从而形成以5×10¹⁸原子/cm³至2×10¹⁹原子/cm³的浓度掺杂的第二薄膜晶体管的轻度掺杂的漏区，其中，第四离子包括磷、砷、锑或铋。

2、如权利要求1所述的方法，还包括：

在基底的具有第二薄膜晶体管的轻度掺杂的漏区的整个表面上形成层间绝缘层；

穿过栅极绝缘层和层间绝缘层形成暴露第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源区的源接触孔以及暴露第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的漏区的漏接触孔；

形成通过源接触孔与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源区连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源电极以及通过漏接触孔与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的漏区连接的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的漏电极。

3、如权利要求1所述的方法，其中，形成第二薄膜晶体管的源区和漏区的步骤包括：

形成第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案覆盖第一薄膜晶体管的半导体层的整个表面以及第二薄膜晶体管的除其中将形成有第二薄膜晶体管的源区和漏区的区域之外的半导体层；

利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模将第二离子注入到第二薄膜晶体管的暴露的半导体层中。

4、如权利要求3所述的方法，其中，形成第一薄膜晶体管的源区和漏区的步骤包括：

形成覆盖第二薄膜晶体管的半导体层的整个表面的第二光致抗蚀剂图案；

利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模将第三离子注入到第一薄膜晶体管的暴露的半导体层中。

5、如权利要求1所述的方法，其中，由多晶硅形成第一薄膜晶体管的半导体层、第二薄膜晶体管的半导体层和存储电容器的下电极图案。

6、如权利要求1所述的方法，其中，通过顺序地堆叠厚度为至的氧化硅层和厚度为至的氮化硅层来形成栅极绝缘层。