[发明专利]射频集成电路装置

权利要求书

1.一种射频集成电路装置，包括：

第一晶体管，由多指状结构所形成，具有多个第一栅极指；以及

第二晶体管，由所述的多指状结构所形成，具有多个第二栅极指，其中每两个所述的多个第一栅极指与每两个所述的多个第二栅极指相互交叉。

2.如权利要求1所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括多个掺杂区，形成于所述的多个第一栅极指与所述的多个第二栅极指中任两个栅极指之间。

3.如权利要求1所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括多个第一漏极指，形成于所述的多个第一栅极指中的任两个之间。

4.如权利要求1所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括多个第二漏极指，形成于所述的多个第二栅极指中的任两个之间。

5.如权利要求1所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括多个共同源极指，形成于所述的多个第一栅极指其中之一与所述的多个第二栅极指其中之一之间。

6.如权利要求1所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括防护环，该防护环耦接于所述的第一晶体管以及所述的第二晶体管的基体。

7.一种射频集成电路装置，包括：

多个第一栅极指；

多个第二栅极指，其中每两个所述的多个第一栅极指与每两个所述的多个第二栅极指相互交叉；

多个第一漏极指，形成于所述的多个第一栅极指中任两个之间；

多个第二漏极指，形成于所述的多个第二栅极指中任两个之间；以及

多个共同源极指，形成于所述的多个第一栅极指其中之一与所述的多个第二栅极指其中之一之间。

8.如权利要求7所述的射频集成电路装置，其特征在于，该装置进一步包括防护环，该防护环耦接于所述的多个第一栅极指、所述的多个第二栅极指、所述的多个第一漏极指、所述的多个第二漏极指以及所述的多个共同源极指。

9.如权利要求7所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的多个共同源极指布局在第一层，且所述的多个第一漏极指与所述的多个第二漏极指布局在不同于所述的第一层的第二层。

10.如权利要求7所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的多个共同源极指通过多个通孔与对应的掺杂区连接。

11.如权利要求10所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的多个通孔中填满了导电材料。

12.如权利要求7所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的多个共同源极指通过绝缘层与所述的多个第一漏极指以及所述的多个第二漏极指隔离。

13.一种射频集成电路装置，包括：

第一差分对，包括：

第一漏极指，耦接于第一漏极线；

第一栅极指，耦接于第一栅极线；

第一源极指，耦接于共同源极线；

第二栅极指，耦接于第二栅极线；以及

第二漏极指，耦接于第二漏极线。

14.如权利要求13所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的第一差分对环绕有绝缘材料。

15.如权利要求13所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的第一源极指布局在第一层，且所述的第一漏极指与所述的第二漏极指布局在不同于所述的第一层的第二层。

16.如权利要求13所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的装置进一步包括：

第二差分对，包括：

第三漏极指，耦接于该第一漏极线；

第三栅极指，耦接于该第一栅极线；

第二源极指，耦接于该共同源极线；

第四栅极指，耦接于该第二栅极线；以及

第四漏极指，耦接于该第二漏极线。

17.如权利要求16所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的第一源极指通过通孔来与对应的掺杂区连接。

18.如权利要求17所述的射频集成电路装置，其特征在于，所述的通孔中填满了导电材料。