[发明专利]静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法

权利要求书

1.一种静电吸附电极，其为具备在基板处理装置中通过静电力将基板吸附并保持的基板保持面的静电吸附电极，其特征在于，具有：

基材；

设置在该基材上的绝缘层；

设置在所述绝缘层中的电极，其中，

所述绝缘层的一部分或全部是由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

2.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

在构成所述基板保持面的所述绝缘层表面的一部分或者全部上，形成有具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜。

3.如权利要求2所述的静电吸附电极，其特征在于：

在基板保持面的周边部，形成有具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜。

4.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

所述绝缘膜是具有包含位于所述电极下层的第1绝缘层和位于所述电极上层的第2绝缘层的结构，

至少所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的其中之一由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

5.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

所述绝缘膜是具有包含位于所述电极下层的第1绝缘层、位于所述电极上层的第2绝缘层和位于该第2绝缘层上层的表面层的结构，

所述表面层由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

6.如权利要求5所述的静电吸附电极，其特征在于：

所述表面层的膜厚为50～250μm。

7.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

所述基板保持面的周边部以及侧部由具有与所述基材的线膨胀系数的差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

8.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

在所述基板保持面的周边部形成有具有高低差的周边梯形部，该周边梯形部分由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

9.如权利要求1所述的静电吸附电极，其特征在于：

在所述基板保持面的周边部形成有具有高低差的周边梯形部，该周边梯形部的顶面覆盖有具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜。

10.如权利要求9所述的静电吸附电极，其特征在于：

具有与所述基材的线胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜的膜厚为50～250μm。

11.如权利要求1～权利要求10中的任意一项所述的静电吸附电极，其特征在于：

所述基材是铝，具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜是YF₃(氟化钇)、MgO(氧化镁)和2MgO·SiO₂(镁橄榄石)中的任意一种。

12.如权利要求11所述的静电吸附电极，其特征在于：

由与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成的部分以外的绝缘层由Al₂O₃(氧化铝)的喷涂膜形成。