[发明专利]静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及静电吸附电极、基板处理装置以及静电吸附电极的制造方法，详细地说是，例如涉及在平板显示器(FPD)等的制造过程中，为了吸附并保持玻璃基板等基板所使用的静电吸附电极、具有该静电吸附电极的基板处理装置以及静电吸附电极的制造方法。

背景技术

在FPD的制造过程中，对作为被处理体的玻璃基板进行干式蚀刻、喷镀(spattering)、CVD(Chemical Vapor Deposition(化学气相淀积法))等的等离子体处理。例如，在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，在将玻璃基板载置于作为下部电极发挥作用的基座(基板载置台)上之后，将处理气体导入到腔室内，同时在电极的至少一方上施加高频电力由此在电极间形成高频电场，通过该高频电场形成处理气体的等离子体并对玻璃基板实施等离子体处理。这时，由设置在基座上的静电吸附电极，利用例如库伦力吸附并固定玻璃基板。

作为这种静电吸附电极，公知的是具有如下结构的电极，在例如由铝等的金属导电性材料形成的基材上，依次叠层绝缘层、电极和绝缘层的构造，通过对该电极施加电压由此产生库伦力因而能够吸附并固定玻璃基板。而且，作为在上述基材上形成的绝缘层的材料，公知的是使用氧化铝(Al₂O₃)(例如，专利文献1)。

[专利文献1]日本特开2005-136350号公报(权利要求等)

现有技术的静电吸附电极中作为绝缘层一般的氧化铝喷涂膜，其线膨胀系数约为6.4×10^-6[/℃]，与作为基材的材料经常被使用的铝的线膨胀系数23.8×10^-6[/℃]之间存在很大的差别，当电极温度上升时由于其热膨胀率不同会对绝缘层带来很大压力，引发裂纹产生。并且，在近年来的FPD制造过程中，因为急速地推进基板的大型化，出现了吸附并保持长边的长度超过2m的大型玻璃基板的需要，所以静电吸附电极也正在趋于大型化。伴随着这种静电吸附电极的大型化，也增加了对绝缘层的压力，因此容易发生出现裂纹的状况。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，本发明的目的是提供能够抑制绝缘层发生裂纹的静电吸附电极以及使用该电极的基板处理装置。

为了解决上述问题，本发明的第一方面是提供一种静电吸附电极，该静电吸附电极具有在基板处理装置中吸附并保持基板的基板保持面，其特征在于，具有：

基材；

设置在该基材上的绝缘层；

设置在所述绝缘层中的电极，其中

所述绝缘层的一部分或全部是由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

上述第一方面，在构成上述基板保持面的上述绝缘层表面的一部分或者全部上，形成有具有与上述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜。特别是希望在上述基板保持面的周边部，形成有具有与上述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜。

另外，上述绝缘膜具有包含位于上述电极下层的第1绝缘层和位于上述电极上层的第2绝缘层的结构，至少上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的其中之一由具有与上述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

并且，上述绝缘膜是具有包含位于上述电极下层的第1绝缘层、位于上述电极上层的第2绝缘层和位于该第2绝缘层上层的表面层的结构，上述表面层可以由具有与上述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。这时，上述表面层的膜厚为50～250μm。

并且，上述基板保持面的周边部以及侧部由具有与上述基材的线膨胀系数的差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。

并且，在上述基板保持面的周边部形成有具有高低差的周边梯形部，该周边梯形部由具有与上述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10^-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。