[发明专利]用于晶片研磨的抑制翘曲的压敏粘合片无效
| 申请号： | 200710140836.1 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101121866A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 新谷寿朗 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;B24B29/00;B24B55/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 研磨 抑制 粘合 | ||
1.一种用于半导体晶片加工的压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合片或所述基材在60℃下静置保持10分钟后，热收缩比为2％或更低。
2.一种用于半导体晶片加工的压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合片在拉伸试验中的伸长状态开始后1分钟时，在2％伸长下的应力松弛比为20％或更高。
3.权利要求2的压敏粘合片，其在拉伸试验中的伸长状态开始后10分钟时，在2％伸长下的应力松弛比为25％或更高。
4.一种用于半导体晶片加工的压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合片在拉伸试验中伸长2％即刻的每单位面积的应力为4.5N/20mm2或更低。
5.一种用于半导体晶片加工的压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合片在压敏粘合片的硅晶片应用测试中伸长度为2％或更低。
6.权利要求1的压敏粘合片，其在压敏粘合片的硅晶片应用测试中伸长度为2％或更低。
7.权利要求1的压敏粘合片，其中所述基材是由两层或更多不同材料制成的层构成的层压物。
8.权利要求2的压敏粘合片，其中所述基材是由两层或更多不同材料制成的层构成的层压物。
9.权利要求4的压敏粘合片，其中所述基材是由两层或更多不同材料制成的层构成的层压物。
10.权利要求5的压敏粘合片，其中所述基材是由两层或更多不同材料制成的层构成的层压物。
11.权利要求7的压敏粘合片，其中所述层压物包括两层，其每层均由聚烯烃树脂制成并具有不同的热收缩比。
12.权利要求8的压敏粘合片，其中所述层压物包括两层，其每层均由聚烯烃树脂制成并具有不同的热收缩比。
13.权利要求9的压敏粘合片，其中所述层压物包括两层，其每层均由聚烯烃树脂制成并具有不同的热收缩比。
14.权利要求10的压敏粘合片，其中所述层压物包括两层，其每层均由聚烯烃树脂制成并具有不同的热收缩比。
15.权利要求1的压敏粘合片，其在所述半导体晶片的背面研磨中用作表面保护片。
16.权利要求2的压敏粘合片，其在所述半导体晶片的背面研磨中用作表面保护片。
17.权利要求4的压敏粘合片，其在所述半导体晶片的背面研磨中用作表面保护片。
18.权利要求5的压敏粘合片，其在所述半导体晶片的背面研磨中用作表面保护片。
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