[发明专利]用于晶片研磨的抑制翘曲的压敏粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及用于半导体晶片加工的压敏粘合片。更特别地，本发明涉及适用于将半导体晶片研磨至厚度非常小的半导体晶片加工的压敏粘合片。

背景技术

近年来推广多种封装和IC卡，希望包含半导体晶片的电子部件进一步降低厚度。因此需要将已经为约350μm的半导体芯片的厚度降低至75-150μm或更低。此外，为了改进生产率，正在研究使用甚至更大的晶片。

在半导体晶片生产中，已经采用在形成电路图形后将晶片背面进行研磨的技术。在该加工过程中，将压敏粘合片施加至所述电路表面上以保护该电路表面和固定所述晶片，然后研磨该晶片的背面。通常，通过用本申请中使用的压敏粘合剂涂布由乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯等制成的柔性基材得到压敏粘合片。然而，一直存在下列问题。当使用采用了这样特定柔性基材的压敏粘合片时，在其应用期间施加的拉力积累为残余应力。此外，由于在所述晶片背面研磨步骤中和在之后被称为干磨光或CMP的加工步骤中产生的热量导致所述压敏粘合片或主要是所述基材热收缩，并且该收缩产生内应力。在将大直径晶片研磨至厚度非常小的情况下，在所述压敏粘合片中产生的残余应力和应力变得高于所述晶片的强度，并且消除所述残余应力的力导致所述晶片翘曲(弯曲)。

因此，正在研究使用刚性基材作为用于保护超薄型晶片或大直径晶片的压敏粘合片的基材。然而，使用刚性基材的压敏粘合片具有的缺陷为，在从晶片剥离该粘合片时，因为所述基材的刚性，用于所述剥离而施加的力被转移到晶片上，并且这可能使由于研磨至非常小的厚度而已经变得易碎的晶片破裂。此外，使用具有刚性基材的压敏粘合片在应用带材期间在带材切割中易于增加切割器磨损，并且因此难以保持切割质量。结果，在将半导体晶片研磨至厚度非常小的过程中存在易于出现晶片破裂的问题。

在JP-A-2000-150432中，已经提出一种压敏粘合片，其在拉伸测试中，在1分钟后，具有在10％伸长率下40％或更高的应力松弛比，这种压敏粘合片作为消除所述问题并适用于研磨半导体晶片至厚度非常小的压敏粘合片。然而，该压敏粘合片具有生产构成所述基材的材料的步骤和生产所述基材膜的步骤复杂的缺点，结果，完成的压敏粘合片非常昂贵。此外，尽管该压敏粘合片在用作用于大直径半导体晶片的背面研磨的压敏粘合片时具有优异的性能，但该性能并不总是最佳。

发明内容

本发明的目的是以低成本通过简单生产步骤提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其可以固定大直径晶片，并能够使其被研磨至甚至非常小的厚度，而不会在半导体晶片背面抛光步骤和后处理步骤中使所述晶片弯曲。

本发明人进行了深入研究，以解决上述问题。结果，本发明人发现在半导体晶片背面研磨步骤中晶片弯曲的发生率主要与半导体晶片加工用压敏粘合片的四种性能相关，即热收缩比、在片材伸长中的应力、应力松弛比和在应用至被粘物中的伸长度。此外，本发明人发现可以通过将这些性能中的至少一种调节在适当的范围中而抑制晶片弯曲。因此完成了本发明。

发明详述

本发明提供了一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合片或所述基材在60℃下静置10分钟后具有2％或更低的热收缩比。所述压敏粘合片在压敏粘合片的硅晶片应用测试中理想地具有2％或更低的伸长度。

本发明进一步提供了一种半导体晶片加工用的压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，该压敏粘合片在拉伸测试中伸长状态开始后1分钟时，在2％伸长率下的应力松弛比为20％或更高。该压敏粘合片在伸长状态开始后10分钟时，理想地在2％伸长率下的应力松弛比为25％或更高。

本发明进一步提供了一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，在拉伸测试中，该压敏粘合片在2％伸长后即刻每单位面积的应力为4.5N/20mm²。

本发明进一步提供了一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其包含基材和布置在该基材上的压敏粘合剂层，在该压敏粘合片的硅晶片应用测试中，该压敏粘合片具有2％或更低的伸长度。

所述基材优选为由两层或更多不同材料制成的层构成的层压物。该层压物优选包含两层，其每一层由聚烯烃树脂制成，并具有不同的热收缩比。

本发明的半导体晶片加工用压敏粘合片适合在半导体晶片的背面研磨中用作表面保护片材。