[发明专利]制造光掩模的方法无效
| 申请号： | 200710140936.4 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101211103A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑求敏 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 光掩模 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造光掩模的方法，包括：
在透明基板上方形成掩模图案；
在所述透明基板上方形成光刻胶；
从所述透明基板的背面将所述光刻胶曝光以在所述掩模图案上形成光刻胶图案；以及
使用所述光刻胶图案作为掩模校正所述掩模图案中的线宽。
2.根据权利要求1的方法，其中，校正所述掩模图案中的线宽包括使用所述光刻胶图案作为掩模蚀刻所述掩模图案。
3.根据权利要求1的方法，其中，所述掩模图案包括相移膜图案。
4.根据权利要求1的方法，其中，所述掩模图案包括形成在所述透明基板上的相移膜图案和遮光膜图案。
5.根据权利要求4的方法，其中，所述相移膜图案包括MoSiN膜，所述遮光膜图案包括铬膜，并且所述透明基板包括石英。
6.根据权利要求1的方法，其中，校正所述掩模图案中的线宽包括以单独的方式在所述透明基板上划分的区域中校正所述掩模图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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