[发明专利]制造光掩模的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造光掩模的方法，更特别地，本发明涉及一种容易且高效地校正光掩模上的掩模图案的线宽的制造光掩模的方法。

背景技术

通常，半导体器件的各种图案通过使用光掩模的光刻技术形成，该光刻技术包括曝光工艺和显影工艺。

但是，在制造光掩模的过程中，由于各种因素，关键尺寸(CD)误差或均匀性误差可能出现在包括于光掩模中的掩模图案之中。尤其是，当掩模图案形成大于或小于期望线宽的线宽时，在掩模图案中发生CD误差。当在掩模图案中发生CD误差时，半导体器件的各种图案可能具有不同于期望线宽的线宽，这可能产生误差。

因此，必须校正掩模图案中这样的CD误差，或者如果校正困难，则应该将该光掩模丢弃。

传统上，当例如通过扫描电子显微镜(SEM)确认了掩模图案中的CD误差时，则含有该CD误差的光掩模将被丢弃，并且调节制造光掩模的条件，例如电子束曝光条件，以重新制造光掩模。基本上，不存在通过校正掩模图案中的线宽以使用具有CD误差的光掩模的方法。

因此，CD误差成为导致光掩模产量下降的因素之一。而且，即使调节了制造光掩模的条件，也无法事先确定CD误差是否将出现，而且这样的条件不容易调节，因此CD误差也成为了导致制造光掩模的方法的产率和经济效率下降的因素。

发明内容

根据本文所述的一个实施例，一种制造光掩模的方法可以包括：在透明基板上形成掩模图案；在该透明基板上形成光刻胶；从该透明基板的背面将光刻胶曝光以在掩模图案上形成光刻胶图案；以及使用该光刻胶图案作为掩模校正该掩模图案中的线宽。

在这样的方法中，校正掩模图案中的线宽可以包括使用光刻胶图案作为掩模蚀刻所述掩模图案。

掩模图案可以包括相移膜图案，或者依序形成在透明基板上的相移膜图案和遮光膜图案。

这里，相移膜图案可以包括MoSiN膜，遮光膜图案可以包括铬(Cr)膜，并且透明基板可以包括石英。

而且，校正掩模图案中的线宽的方法可以包括以单独的方式在透明基板上划分的区域中校正所述掩模图案。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，本发明的上述以及其它方面、特征和其它优点将更易于理解，在附图中：

图1A至1E为简化的图示，依序示出了根据本发明的一个实施例的制造光掩模的方法；和

图2为SEM照片，示出了通过图1C所示的背面曝光步骤在掩模图案上形成光刻胶图案。

具体实施方式

根据这里所描述的一个实施例，提供了一种制造光掩模的方法，包括：在透明基板上形成掩模图案；在该透明基板上形成光刻胶；从该透明基板的背面将该光刻胶曝光以在掩模图案上形成光刻胶图案；以及使用该光刻胶图案作为掩模校正该掩模图案中的线宽。

首先，参考图1A，掩模图案110可以形成在例如由石英制成的透明基板100上。掩模图案110可以包括在透明基板100上依序形成的相移膜图案102和遮光膜图案104。或者，掩模图案110可以仅包括相移膜图案和遮光膜图案中一个。根据掩模图案110的类型，可以制造各种光掩模，比如二元掩模或相移掩模。

同时，掩模图案110可以这样形成：在透明基板100上依序形成例如由具有大约6％透光率的MoSiN膜制成的相移膜和例如由铬膜制成的遮光膜，在遮光膜上形成光刻胶图案，然后使用该光刻胶图案作为掩模依序蚀刻遮光膜和相移膜。

即，在掩模图案110可以仅包括相移膜图案和遮光膜图案中一个的情形，掩模图案110可以这样形成：在透明基板100上仅形成例如由具有大约6％透光率的MoSiN膜制成的相移膜和例如由铬膜制成的遮光膜中一个，在相移膜或遮光膜上形成光刻胶图案，然后使用该光刻胶图案作为掩模蚀刻相移膜或遮光膜。

但是，在基本上根据上述方法在透明基板100上形成掩模图案110的过程中，有时在曝光形成光刻胶图案的电子束的条件下可能出现误差。因此，可能在掩模图案中产生CD误差，其中掩模图案110具有大于或小于期望线宽的线宽“A”(图1A图示了在掩模图案110中线宽形成得大于期望线宽“A”的情形)。

掩模图案中这样的CD误差可以通过根据下面所述的本发明潜在实施例的方法校正。

参考图1B，光刻胶112形成在透明基板100上，在该透明基板100上形成了包括相移膜图案102和遮光膜图案104的掩模图案110。