[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置，更详细地，涉及发光元件搭载在金属构件上，且这些发光元件和金属构件的一部分被封装件埋入而构成的发光装置。

背景技术

近年来，要求利用半导体和被覆半导体的透光性被覆材的发光装置是特性的偏差少的发光装置。

作为其一例，例如如图4所示，提出了如下的半导体装置：以将固定在引线框30上的半导体元件31的表面覆盖的方式在引线框30上的一部分上涂敷硅树脂层32，并用密封树脂层33将包括该硅树脂层32在内的半导体元件31及引线框30的一部分被覆，在如此构成的半导体装置中，在与硅树脂层32的周缘部对应的引线框30的部分形成有硅树脂流出防止用的槽34(例如专利文献1)。

通过形成这样的硅树脂流出防止用的槽，挡住将硅树脂涂敷在半导体元件表面时的硅树脂的扩散流动，从而能够防止硅树脂顺着引线框流出。因而，用硅树脂层可靠地覆盖半导体元件，使其形状稳定，减少制品各自的特性的偏差。

专利文献1：特开平8-293626号公报

但是，在这样的发光装置中，树脂流出防止用的槽到达引线框的端部，因此，当树脂流入槽中时，有时从槽的端部流出树脂，从而有时无法使其形状充分稳定化。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而实现的，其目的在于提供一种防止在发光元件周边部预先被覆/埋入的透光性被覆材的垂下，由此在适当位置可靠地配置透光性被覆材，将质量偏差抑制在最小限，成品率好的高质量的发光装置。

本发明提供一种发光装置，其具有第一金属构件、载置在该第一金属构件的一端上的发光元件、和至少被覆所述发光元件的透光性被覆材，其特征在于，在所述第一金属构件的表面具有确定所述透光性被覆材的形成区域的凹坑，所述凹坑的内壁连续。

在该发光装置中，优选，第一金属构件在一端具有凹部，发光元件收容在所述凹部内，透光性被覆材从第一金属构件的凹部内遍及表面而配置。

另外，也可以在俯视下，第一金属构件的一端的形状与邻接的凹部的形状类似，凹坑沿邻接的凹部配置，或配置多个。

进而，优选，透光性被覆材含有荧光物质。

另外，优选，第一金属构件在隔着凹坑与发光元件对置的位置载置有保护元件。

发明效果

根据本发明的发光装置，能够用凹坑可靠地挡住并防止流出在发光元件周边部预先被覆/埋入的透光性被覆材，从而能够防止透光性被覆材的扩散及流出。因而，能够防止透光性被覆材从金属构件的垂落。由此，能够获得可在适当的位置可靠地配置透光性被覆材，将质量的偏差抑制在最小限，成品率好的高质量的发光装置。

附图说明

图1是表示本发明的发光装置的一实施方式的立体图；

图2A是图1的发光装置的俯视图；

图2B是图1的发光装置的侧视图；

图3A～3G是本发明的另一发光装置的俯视图；

图3H是本发明的又一发光装置的金属构件的俯视图；

图4是表示现有的发光装置的立体图。

具体实施方式

本发明的发光装置主要由发光元件、至少第一金属构件和透光性被覆材构成。

(发光元件)

发光元件只要是半导体发光元件即可，只要是被称为所谓的发光二极管的元件，则可以为任意的元件。例如可以列举如下的元件：在基板上，通过In N、Al N、Ga N、In Ga N、Al Ga N、In Ga Al

N等氮化物半导体、III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体等各种半导体，形成有含有活性层的叠层结构。

作为基板，可以列举以C面、A面、R面中的任一面为主面的蓝宝石或尖晶石(Mg Al₂O₄)之类的绝缘性基板、碳化硅(6H、4H、3C)、硅、Zn S、Zn O、Ga As、金刚石；铌酸锂、镓酸钕等氧化物基板、氮化物半导体基板(Ga N、Al N等)等。

作为半导体的结构，可以列举MIS接合、PIN接合、PN接合等均质结构、异质结合或双异质结合的结构。另外，也可以形成为将半导体活性层形成为产生量子效应的薄膜的单一量子井结构、多重量子井结构。

有时也在活性层中掺杂Si、Ge等施主杂质及/或Zn、Mg等受主杂质。

发光元件的发光波长能够通过使半导体的材料、混晶比、活性层的In Ga N的In含有量、掺杂在活性层中的杂质的种类变化等，从紫外区域变化到红色。