[发明专利]高散热性发光二极管装置

权利要求书

1.一种高散热性发光二极管装置，包含一散热座、一发光二极管晶粒以及两导接端子；该散热座包括一凹穴以及两端子容置槽；该发光二极管晶粒设置在该凹穴；各该导接端子具有一第一导接部及一第二导接部，该两导接端子分别伸入该两端子容置槽，使该第一导接部位于该凹穴内与该发光二极管晶粒导接，该第二导接部外露于该散热座外，

该散热座还包括一本体，该本体为一体成型的高导热性材质，该凹穴由该本体顶部凹陷形成，该两端子容置槽分别由该本体的两侧外表面连通至该凹穴，

该本体为金属材质或硅基板制成，且各该导接端子外覆设有一绝缘层，各该导接端子的该第一导接部与该第二导接部均外露出该绝缘层，

其特征在于：各该导接端子包括一伸入容置于该端子容置槽内的第一横向段，该绝缘层包覆于该第一横向段外，且该第一横向段伸入该凹穴内的末段顶面部分外露出该绝缘层而构成该第一导接部。

2.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该两端子容置槽是由该本体两相反侧外表面往内凹陷连通至该凹穴，各该导接端子还包括一由该第一横向段一端往下延伸而位于该本体外的纵向段，以及一由该纵向段底端往远离该第一横向段的方向延伸的第二横向段，该第二导接部位于该第二横向段。

3.如权利要求2所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该纵向段外也包覆有该绝缘层。

4.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该凹穴包括一低于该本体顶部表面的内底面及一连接该本体顶部表面与该内底面的内环壁面，各该端子容置槽至少部分由该凹穴的内底面凹陷形成。

5.如权利要求4所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：各该端子容置槽包括一由该内底面凹陷的第一横向槽段、一由该本体顶部表面凹陷的第二横向槽段以及一连接该第一横向槽段与该第二横向槽段的斜向槽段；各该导接端子还包括一由该第一横向段斜上延伸的斜向段以及一由该斜向段自由端往远离该第一横向段的方向延伸的第二横向段，该斜向段是容置于该斜向槽段，该第二横向段容置于该第二横向槽段而末段凸出该本体外，该绝缘层还包覆于该斜向段及该第二横向段，该第二横向段凸出该本体外的末段未受该绝缘层包覆而构成该第二导接部。

6.如权利要求4所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：各该端子容置槽包括一凹陷形成于该本体底部表面的横向槽段，及一由该横向槽段内端往上贯穿该凹穴内底面的纵向槽段；该第一横向段位于该横向槽段内且一端凸出该本体而构成该第二导接部，各该导接端子还包括一由该第一横向段一端往上延伸而伸入该纵向槽段的纵向段，该纵向段顶端端面外露出该内底面而构成该第一导接部；该绝缘层还包覆于该纵向段的外周面。

7.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该绝缘层为射出成型包覆于所述导接端子外的塑料层。

8.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该绝缘层为于该导接端子外表面进行阳极处理而形成的氧化层。

9.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该绝缘层为模压成形包覆于该导接端子外的树脂材质。

10.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该本体的材质为铜或铝。

11.如权利要求1所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该本体的材质为高导热性陶瓷材料。

12.如权利要求11所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该本体的材质是选自氮化铝、氧化铍及碳化硅所构成的群组。

13.如权利要求4所述的高散热性发光二极管装置，其特征在于：该高散热性发光二极管装置还包含两金属导线，且该发光二极管晶粒设置于该内底面上并位于该两端子容置槽之间，该发光二极管晶粒上表面设置有两电极接点，该两电极接点分别通过该两金属导线与该两导接端子的第一导接部导接。