[发明专利]电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置

权利要求书

1.一种包括多个半导体器件的电子装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上并且是沿着预定方向结晶的，所述多个半导体器件包括：

MOS晶体管；以及

横向双极薄膜晶体管和MOS双极混合薄膜晶体管中的至少一种。

2.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，

其特征在于，所述显示装置包括具有两个电流值或两个或更多电流值的电流模式信号输入接口电路，并且

所述电流模式信号输入接口电路包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的至少一个横向双极薄膜晶体管和至少一个混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

至少一个利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。

3.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，所述显示装置包括电压差分信号型信号输入接口电路，

其特征在于所述电压差分信号型信号输入接口电路包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的至少一个横向双极薄膜晶体管和至少一个混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

至少一个利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。

4.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，所述显示装置包括非接触电磁耦合传输方案的信号输入接口电路，

其特征在于所述非接触电磁耦合传输方案的信号输入接口电路包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的至少一个横向双极薄膜晶体管和至少一个混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

至少一个利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。

5.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，所述显示装置包括非接触光学传输方案的信号输入接口电路，

其特征在于所述非接触光学传输方案的信号输入接口电路包括：

至少一个光电转换元件；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的至少一个横向双极薄膜晶体管和至少一个混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

至少一个利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。

6.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，所述显示装置包括存储电路、电平移动电路单元和读出放大器单元，所述存储电路包括多个存储元单元，

其特征在于所述读出放大器单元包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的至少一个横向双极薄膜晶体管和至少一个混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

至少一个利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。

7.一种包括多个半导体器件的显示装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，所述显示装置包括DC-DC转换器电路、定时控制电路、信号放大电路、用于解压压缩数据的解压电路和存储图像数据的存储电路之一，所述电路的每一个包括：

MOS薄膜晶体管；以及

横向双极薄膜晶体管和MOS双极混合薄膜晶体管中的至少一种。

8.根据权利要求2到4中的任一项所述的显示装置，包括多个半导体器件，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上且是沿着预定方向结晶的，

其特征在于信号输入电路包括：

采用了薄膜晶体管的电流放大单元，所述薄膜晶体管是利用所述半导体薄膜形成的横向双极薄膜晶体管和混合薄膜晶体管的至少任一种；以及

电压放大单元，其连接到所述电流放大单元且采用了利用所述半导体薄膜形成的MOS晶体管。