[发明专利]电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置

说明书

技术领域

本发明涉及采用形成于绝缘衬底上的薄膜晶体管构造的电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置。

背景技术

作为显示图像信息和字符信息的(例如)OA设备的显示装置，有采用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵平板显示器。近年来，随着多媒体通信技术的发展，人们开始关注作为下一代显示器的集成功能型显示器，其被称为“屏板上系统”显示器。这一集成功能型显示器的设计主要针对个人用途，其体积小，重量轻，并且具有高分辨率和高图像质量。此外，在显示屏板内集成了涉及图像显示的外围功能，例如驱动电路、DA转换器和图像处理电路。作为集成功能型显示器的例子，日本专利申请特开No.2005-18088公开了一种液晶显示装置，其在独立的像素内提供了光电转换元件，因而具有采用来自(例如)光笔的光的输入功能。

如果提高显示装置上的显示图像的分辨率和颜色数量，那么所传输的数据量也会相应提高。但是，由于图像显示的刷新速度是固定的，因而如果数据量提高，传输路径的时钟频率也必然提高。通过这种方式，如果传输路径的频率增大，就会引发在传输路径中产生不需要的电磁辐射以及在电磁干扰(EMI)的作用下在外部装置中导致噪声的问题。为了解决这一问题，采取了这样一种方法，其中，通过被称为(例如)LVDS(低压差分信令)的低压差分驱动降低EMI。例如，在日本专利申请特开No.2002-176350中公开了这一技术的例子。此外，近年来，作为能够更为有效地降低EMI的传输方案，有人提出了通过电流驱动的串行接口。在日本专利申请特开No.2003-76345中公开了一个例子。

就常规而言，主要采用落在场效应晶体管类别中的MOS(金属氧化物半导体)晶体管作为形成于显示器玻璃基板上的TFT。由于MOS晶体管能够有利地构成诸如显示器的显示像素开关和移位寄存器的数字电路，因而得到了广泛应用。

专利文献的例子为日本专利申请特开No.2005-18088、日本专利申请特开No.2002-176350、日本专利申请特开No.2003-76345以及日本专利申请特开No.10-32337。

技术文献的例子为：(1)B.Y.TSAUR，MEMBER，IEEE，D.J.SILVERSMITH，SENIOR MEMBER，IEEE，J.C.C.FAN和R.W.MOUNTAIN；“Fully Isolated Lateral Bipolar-MOS TransistorsFabricated in Zone-Melting-Recrystallized Si Films on SiO₂”，IEEEELECTRON DEVICE LETTERS，VOL，EDL-4，No.8，pp.269-271，AUGUST 1983；(2)JAMES C.STURM，MEMBER，IEEE，JAMES PMcVITTIE，MEMBER，IEEE，JAMES F.GIBBONS，FELLOW，IEEE和L.PFIFFER，“A Lateral Silicon-on-Insulator Bipolar Transistor witha Self-Aligned Base Contact”，0741-3106/87/0300-0104$01.00(c)1987IEEE；(3)Stephen Parke，Fariborz Assaderaghi Jian Chen，Joe King，Chenming Hu，和Ping K.Ko，“A Versatile，SOI BiCMOS Technologywith Complementary Lateral BJT’s”，0-7803-0817-4/92$3.00(c)IEDM92453-4561992IEEE；(4)T.Shino，K.Inoh，T.Yamada，H.Nii，S.Kawanaka，T.Fuse，M.Yoshimi，Y.Katsumata，S.Watanabe，和J.Matsunaga，“A 31 GHz f_max Lateral BJT on SOI Using Self-AlignedExtemal Base Formation Technology”；0-7803-4774-9/98$10.00(c)IERM 98953-9561998IEEE；(5)Richard McCartney，Jsmes Kozisek，Marshall Bell，“9.3：WhisperBus^TM：An Advanced Interconnect Link ForTFT Column Driver Data”，SID 01 DIGEST，pp.1-4；(6)Jorgen Qlsson，Bengt Edholm，Anders Soderbiirg，和Kjell Bohlin，“High Current GainHybrid Bipolar Operation of DMOS Transistors”，IEEETRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES，VOL.42，No.9，SEPTEMBER，pp.1628-1635，1995；(7)Stephen A.Parke，ChenmingHu，和Ping K.KO，“Bipolar-FET Hybrid-Mode Operation ofQuarter-Microm；以及(8)Sophie Verdonckt-Vandebroek，S.SimonWong，Jason C.S.Woo，和Ping K.KO，“High-Gain Lateral BipolarAction in a MOSFET Structure，”IEEE TRANSACTIONS ONELECTRON DEVICES，VOL.38，No.11，NOVEMBER，pp.2487-2496，1991。