[发明专利]磷酸锡防渗透膜及方法和设备

权利要求书

1.一种防止器件被氧气和湿气渗透的方法，该方法包括以下步骤：

在该器件的至少一部分上沉积磷酸锡低液相线温度无机材料，形成沉积的低液相线温度无机材料；

在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的低液相线温度无机材料进行热处理，形成气密式密封；

其中，沉积低液相线温度无机材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，磷酸锡材料包括偏磷酸锡、原磷酸氢锡、原磷酸二氢锡、焦磷酸锡，或它们的混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料还包含锡氧化物。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料包含约60-80摩尔％SnO。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料基本不含氟。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，磷酸锡低液相线温度无机材料还包含铌化合物。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，器件包括以下的至少一种：

有机电子器件；

薄膜传感器；

光电子器件；

光生伏打器件；

食品容器；或

医用容器。

8.如权利要求1所述的方法制造的器件。

9.一种有机电子器件，该器件包括：

基板；

至少一层有机电子层或光电子层；和

磷酸锡低液相线温度防渗透层，其中，电子层或光电子层被气密式密封在磷酸锡低液相线温度防渗透层和基板之间。

10.如权利要求9所述的有机电子器件，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层包含偏磷酸锡、原磷酸氢锡、原磷酸二氢锡，或它们的混合物。

11.如权利要求9所述的有机电子器件，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层包含焦磷酸锡。

12.如权利要求9所述的有机电子器件，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层还包含钨化合物。

13.如权利要求12所述的有机电子器件，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层包含大于0至约10重量％钨。

14.如权利要求9所述的有机电子器件，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层还包含铌化合物。

15.一种设备，其至少一部分用磷酸锡低液相线温度防渗透层密封。

16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层包含偏磷酸锡、原磷酸氢锡、原磷酸二氢锡，或它们的混合物。

17.如权利要求15所述的设备，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层包含焦磷酸锡。

18.如权利要求15所述的设备，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层还包含钨化合物。

19.如权利要求18所述的设备，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层还包含铌化合物。

20.如权利要求15所述的设备，其特征在于，磷酸锡低液相线温度防渗透层还包含铌化合物。