[发明专利]磷酸锡防渗透膜及方法和设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种阻止氧气和湿气渗透以及随后使器件和设备性能下降的方法。

背景技术

氧气或湿气传送通过层叠的材料或包封的材料和随后侵入内部材料代表了两种与许多器件有关的最普遍的性能下降机理，所述器件例如有发光器件(OLED器件)、薄膜传感器和迅衰波导传感器。如果采取各种步骤来最大程度地减小氧气和/或湿气的渗透，可以显著增加这些器件的运行寿命。

目前对延长这些器件的寿命的所做的努力包括：吸气法、包封以及多种器件密封技术。用于密封器件如OLED的常规方法包括使用环氧化物和无机材料和/或有机材料，通过进行加热或暴露于紫外光，在固化时形成气密式密封。虽然这种密封提供了一定程度的气密式密封，但是它们的价格较高，并且不能确保在长期操作中维持气密式密封。

类似的氧气和湿气渗透问题在其它器件中也很常见，如薄膜传感器、迅衰波导传感器、食物容器和医用容器。因此，要求能够阻止氧气和湿气渗透到这些器件中。本发明满足了这一要求和其它的要求。

发明概述

在第一方面，本发明提供一种阻止氧气和湿气渗透进器件的方法，该方法包括以下步骤：在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度的无机材料，形成沉积的低液相线温度的无机材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的低液相线温度的无机材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积低液相线温度的无机材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。

另一方面，本发明提供一种采用本发明方法制造的器件。

另一方面，本发明提供一种有机电子器件，该器件包括基板；至少一个有机电子层或光电子层；和磷酸锡的低液相线温度的防渗透层，其中，电子层或光电子层被气密式密封在磷酸锡的低液相线温度的防渗透层和基板之间。

又一方面，本发明提供其至少一部分是以磷酸锡的低液相线温度的防渗透层密封的设备。

本发明的其它方面将在详细描述、附图和权利要求书中得到阐明，并且部分可从详细描述中得出或者可以通过本发明的实施而获知。应该理解，上文的一般性描述和下文的详细描述都仅是示例性的和解释说明性的，并且不限制本文所揭示的本发明。

附图简述

附图包含于本说明书中，并构成本说明书的一部分，它们示出了本发明的某些方面，与说明书一起用于解释而非限制本发明的原理。

图1是按照本发明一方面，在器件的至少一部分上形成磷酸锡LLT防渗透层的示例方法的示意图。

图2是按照本发明另一方面，其上形成有磷酸锡LLT防渗透层的示例器件的示意图。

图3示出按照本发明的一方面，使用钨舟时，对焦磷酸锡LLT起始物质可达到的稳定的高沉积速率。

发明详述

通过参照下面的详细描述、实施例、权利要求书以及上文和下文的描述，便可以更容易地理解本发明。然而，在揭示和描述本发明的器件和/或方法之前，应该理解除非特别说明，否则本发明并不限于所揭示的这些具体的器件和/或方法，因此当然可以改变这些所揭示的内容。还应该理解，本文所使用的术语只是为了描述特定的方面，并不规定为限制。

所揭示的是一些可用于所揭示的方法和组合物、可与所揭示的方法和组合物一起使用、可用于制备所揭示的方法和组合物的材料、化合物、组合物以及组分，或者是所揭示的方法和组合物的产品。这些和其它材料在本文中得以揭示，并且应该理解，当这些材料的组合、子集、相互作用、分组等都得到揭示时，尽管可能没有明确揭示各种单独和集合组合的具体参照以及这些化合物的变换，但是在本文中对各种情况都进行过具体预期和描述。因此，如果揭示了一类组分A、B和C以及一类组分D、E和F，并且揭示了组合分子的一个例子A-D，则即使并没有单独提及各种情况，也对这些各种情况进行了单独和集合的预期。因此，在本示例中，各种组合A-E、A-F、B-D、B-E、B-F、C-D、C-E和C-F均被具体预期过，并且应该被视为可以从A、B和C；D、E和F；和示例组合A-D的揭示中得出。同样，这些的任何子集或组合也被具体预期和揭示过。因此，例如，子组A-E、B-F和C-E被具体预期过，并且应该被视为可以从A、B和C；D、E和F；和示例组合A-D的揭示中得出。这种概念应用于本揭示内容的所有方面，包括但不限于制造和使用所揭示的组合物的方法中的步骤。因此，如果有各种附加的可实施的步骤，则应该理解，这些附加步骤中的每一步可以用所揭示方法的任何特定实施方式或实施方式组合来实施，每一种这样的组合都具体预期过并且应该被视为揭示过。