[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200710142101.2 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101090093A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 熊谷稔 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/32;H05B33/10;H05B33/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种显示装置的制造方法,该显示装置具备多个显示像素,所述显示像素包含具有载流子输送层的发光元件,该制造方法包括:
在基板上分别设有像素电极的所述多个显示像素的形成区域之间,形成隔壁的工序;
对所述像素电极表面赋予亲液性的工序;
刻蚀所述隔壁的表面的工序;和
对所述隔壁的表面赋予疏液性的工序。
2、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:对所述像素电极表面赋予亲液性的工序如下地进行:利用UV臭氧处理或氧等离子处理,至少使所述像素电极表面对于包含形成所述载流子输送层的载流子输送性材料的溶液具有亲液性。
3、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:在刻蚀所述隔壁的表面的工序中,至少除去在对所述像素电极表面赋予亲液性的工序中形成于所述隔壁表面上的氧化膜。
4、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:在对所述隔壁的表面赋予疏液性的工序中,将所述基板浸渍在三嗪硫醇化合物的溶液中,至少使所述三嗪硫醇化合物结合在所述隔壁的表面,形成对包含载流子输送性材料的溶液具有疏液性的被覆膜。
5、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:所述像素电极的表面由导电性的金属氧化物层形成。
6、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:至少所述隔壁的表面由低电阻的金属材料形成。
7、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:所述显示像素形成区域由所述隔壁划定。
8、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:所述载流子输送层形成在露出于所述显示像素的形成区域的所述像素电极上。
9、根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,还包括:在所述被赋予亲液性的所述像素电极上,涂布包含载流子输送性材料的溶液,然后进行干燥,来形成所述载流子输送层的工序;及
形成单一的对向电极的工序,该对向电极隔着所述载流子输送层与所述多个显示像素的所述像素电极共同相对,并且,在所述被赋予疏液性的所述隔壁上延伸而被电连接。
10、一种显示装置的制造方法,该显示装置具备多个显示像素,所述显示像素包含具有载流子输送层的发光元件,该制造方法包括:
对隔壁的表面进行刻蚀的工序,该隔壁设置在基板上的所述显示像素的形成区域周围;
在所述刻蚀工序之前,对在所述显示像素的形成区域设置的像素电极的表面赋予亲液性的工序;
在所述刻蚀工序之后,对所述隔壁的表面赋予疏液性的工序。
11、一种显示装置,其特征在于,该显示装置通过权利要求1所述的显示装置的制造方法制造。
12、根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述隔壁的所述表面具有疏液性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造