[发明专利]主动元件阵列基板无效
申请号: | 200710142306.0 | 申请日: | 2007-08-16 |
公开(公告)号: | CN101369586A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 张营辉 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
1.一种主动元件阵列基板,其特征在于包括:
一基板,具有一显示区域以及一周边区域,该周边区域与该显示区域邻接;
多个像素单元,阵列排列于该基板的该显示区域内;
多条驱动配线,配置于该显示区域以及该周边区域,并与该些像素单元电性连接;
多条共通配线,配置于该显示区域且延伸到该周边区域中;
一静电放电保护电路,配置于该基板上的该周边区域;以及
多个开关元件,配置于该周边电路区,每一该些开关元件电性连接于每一该些共通配线与该静电放电保护电路之间。
2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些开关元件包括双向开关元件。
3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,每一开关元件包括:
一第一薄膜晶体管,具有一第一栅极、与一第一源极/漏极;以及
一第二薄膜晶体管,具有一第二栅极、与一第二源极/漏极,
其中,该第一栅极电性连接于该第二源极/漏极,该第二栅极电性连接于该第一源极/漏极。
4.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,每一开关元件包括:
一第一二极管,具有一第一输出端与一第一输入端;以及
一第二二极管,具有一第二输出端与一第二输入端;
其中,该第一输出端电性连接于该第二输入端,该第二输出端电性连接于该第一输入端。
5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,使该静电放电保护电路接地或浮置。
6.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些像素单元包括:
多个主动元件,分别与对应的该些驱动配线电性连接;以及
多个像素电极,分别与对应的该主动元件电性连接。
7.一种主动元件阵列基板,其特征在于包括:
一基板,具有一显示区域以及一周边区域,该周边区域与该显示区域邻接;
多个像素单元,阵列排列于该基板的该显示区域内;
多条驱动配线,配置于该显示区域以及该周边区域,并与该些像素单元电性连接;
多条共通配线,配置于该显示区域且延伸到该周边区域中;以及
多个开关元件,配置于该周边电路区,每一该些开关元件是电性连接于相邻的两该些共通配线之间。
8.如权利要求7所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些开关元件包括双向开关元件。
9.如权利要求7所述的主动元件阵列基板,其特征在于,每一开关元件包括:
一第一薄膜晶体管,具有一第一栅极、与一第一源极/漏极;以及
一第二薄膜晶体管,具有一第二栅极、与一第二源极/漏极,
其中,该第一栅极电性连接于该第二源极/漏极,该第二栅极电性连接于该第一源极/漏极。
10.如权利要求7所述的主动元件阵列基板,其特征在于,每一开关元件包括:
一第一二极管,具有一第一输出端与一第一输入端;以及
一第二二极管,具有一第二输出端与一第二输入端;
其中,该第一输出端电性连接于该第二输入端,该第二输出端电性连接于该第一输入端。
11.如权利要求7所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些像素单元包括:
多个主动元件,分别与对应的该些驱动配线电性连接;以及
多个像素电极,分别与对应的该主动元件电性连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710142306.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:在公共频段中同时调度终端的方法和相应基站
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的