[发明专利]主动元件阵列基板无效
申请号: | 200710142306.0 | 申请日: | 2007-08-16 |
公开(公告)号: | CN101369586A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 张营辉 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
技术领域
本发明是有关于一种主动元件阵列基板,且特别是有关于一种具有静电放电(Electronic Static Discharge,ESD)保护电路的主动元件阵列基板。
背景技术
在日常生活环境中,静电放电的现象随处可见。基本上,由于电子对于各种物体的亲和力不同,故任何两个物体接触之后再分开,便很容易产生物体间电荷转移的现象,造成静电的累积。一旦物体中的静电累积到一定程度,当此带静电的物体触碰或接近另一个与其电位不同的物体时,便会发生瞬间电荷转移的现象,即是所谓的静电放电。
一般而言,电子产品在制造、生产、组装、运送、甚至消费者购买后的使用过程中,遭受到静电放电伤害的可能性很高。因此,电子产品必须具备静电放电的防护设计,才能够有效延长其使用寿命。尤其是利用先进半导体制程所制作的产品,如液晶显示器的主动元件阵列基板等,由于其组成元件的尺寸很小,因此当元件遭受到瞬间高电压的静电放电时,主动元件阵列基板内部的线路极易被永久性地毁损,而导致元件失效。
近年来,在主动元件阵列基板的每一个像素中,大多会将此像素分割为主像素(main pixel)与次像素(sub pixel),且利用两个薄膜晶体管分别加以控制,此即为双薄膜晶体管型(TFT-TFT type)的像素。为了提供此种像素稳定的储存电容,而必须在主动元件阵列基板上对应制作多条独立的共通配线。然而,这些共通配线大多形成为大面积的金属线,因此,静电容易累积在这些共通配在线而产生静电放电。结果是,共通配线、以及位于这些共通配线附近的元件与线路,将会被静电放电毁损。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种主动元件阵列基板,其具有良好的静电放电防护措施。
基于上述,本发明提出一种主动元件阵列基板,包括基板、多个像素单元、多条驱动配线、多条共通配线、静电放电保护电路以及多个开关元件。基板具有显示区域以及周边区域,此周边区域与显示区域邻接。像素单元阵列排列于基板的显示区域内。驱动配线配置于显示区域以及周边区域,并与像素单元电性连接。共通配线配置于显示区域且延伸到周边区域中。静电放电保护电路配置于基板上的周边区域。多个开关元件配置于周边电路区,每一开关元件电性连接于每一共通配线与静电放电保护电路之间。
本发明再提出一种主动元件阵列基板,包括基板、多个像素单元、多条驱动配线、多条共通配线以及多个开关元件。基板具有显示区域以及周边区域,此周边区域与显示区域邻接。像素单元阵列排列于基板的显示区域内。驱动配线配置于显示区域以及周边区域,并与像素单元电性连接。共通配线配置于显示区域且延伸到周边区域中。多个开关元件配置于周边电路区,每一开关元件电性连接于相邻的两共通配线之间。
在本发明的主动元件阵列基板中,上述的开关元件包括双向开关元件(Bidirectional Switch Element)。
在本发明的主动元件阵列基板中,上述的每一开关元件包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管具有第一栅极与第一源极/漏极,第二薄膜晶体管具有第二栅极与第二源极/漏极,其中,第一栅极电性连接于第二源极/漏极,而第二栅极电性连接于第一源极/漏极。
在本发明的主动元件阵列基板中,上述的每一开关元件包括第一二极管以及第二二极管。第一二极管具有第一输出端与第一输入端,第二二极管具有第二输出端与第二输入端,其中,第一输出端电性连接于第二输入端,而第二输出端电性连接于第一输入端。
在本发明的主动元件阵列基板中,上述的主动元件阵列基板的静电放电保护电路为接地或浮置(floating)。
在本发明的主动元件阵列基板中,上述的像素单元包括多个主动元件以及多个像素电极。主动元件分别与对应的驱动配线电性连接。像素电极分别与对应的主动元件电性连接。
本发明因使开关元件电性连接于每一共通配线与静电放电保护电路的间;或是,使开关元件电性连接于相邻的两共通配线之间。借此,即使共通配线形成为大面积金属时,将可以使累积在共通配在线的静电散逸,而避免静电放电破坏共通配线或其附近的元件与线路。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1绘示为本发明第一实施例的主动元件阵列基板的示意图。
图2绘示为图1的主动元件阵列基板的共通配线附近的局部电路示意图。
图3A与图3B绘示为图2中的开关元件的两个实施例的示意图。
图4绘示为本发明第二实施例的主动元件阵列基板的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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