[发明专利]半导体装置及半导体封装件有效
申请号: | 200710142356.9 | 申请日: | 2007-08-22 |
公开(公告)号: | CN101131976A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 樱林太郎 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;谢丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置,在极板表面上有规则地设置凸起状的电极,经由上述电极通过倒装方式安装在布线基板上,其特征在于具有:
多个第一电位极板,被施加第一电位;
多个第二电位极板,被施加与上述第一电位不同的第二电位,并且与上述第一电位极板形成在同一层上,在一个方向上与上述第一电位极板交互设置;
第一电位上层共用布线,与上述第一电位极板形成在同一层上,并且沿着上述一个方向延伸,且与上述一个方向上的各上述第一电位极板的第一端部连接;
第二电位上层共用布线,与上述第二电位极板形成在同一层上,并且沿着上述一个方向延伸,且与上述一个方向上的各上述第二电位极板的上述第一端部的相反侧的第二端部连接;
第一电位上层分支布线,与上述第一电位极板形成在同一层上,并且在上述第一电位上层共用布线和上述第二电位上层共用布线之间,从上述第一电位极板延伸至相邻的上述第二电位极板附近;以及
第二电位上层分支布线,与上述第二电位极板形成在同一层上,并且在上述第一电位上层共用布线和上述第二电位上层共用布线之间,从上述第二电位极板延伸至相邻的上述第一电位极板附近。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电位上层分支布线,被设置在上述第二电位上层共用布线和上述第二电位上层分支布线之间,
上述第二电位上层分支布线,被设置在上述第一电位上层共用布线和上述第一电位上层分支布线之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电位上层分支布线及上述第二电位上层分支布线,从一个极板的一侧各延伸多根,
上述第一电位上层分支布线和上述第二电位上层分支布线,被设置成交互咬合。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于具有:
第一电位下层布线,形成在上述第一电位极板、上述第一电位上层共用布线、以及上述第一电位上层分支布线的下层,并且与上述第一电位极板、上述第一电位上层共用布线、以及上述第一电位上层分支布线的任意一个或全部进行通路连接,并且,沿着与上述第一电位上层共用布线及上述第一电位上层分支布线大致垂直的方向设置;和
第二电位下层布线,形成在上述第二电位极板、上述第二电位上层共用布线、以及上述第二电位上层分支布线的下层,并且与上述第二电位极板、上述第二电位上层共用布线、以及上述第二电位上层分支布线的任意一个或全部进行通路连接,并且,沿着与上述第二电位上层共用布线及上述第二电位上层分支布线大致垂直的方向设置。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电位下层布线,分别与第n行的上述第一电位极板、第n+1行的上述第一电位上层共用布线及上述第一电位上层分支布线、第n+2行的上述第一电位上层共用布线、第n+3行的上述第一电位上层共用布线及上述第一电位上层分支布线进行通路连接,
上述第二电位下层布线,分别与第n行的上述第二电位上层共用布线、第n+1行的上述第二电位上层共用布线及上述第二电位上层分支布线、第n+2行的上述第二电位极板、第n+3行的上述第二电位上层共用布线及上述第二电位上层分支布线进行通路连接。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电位下层布线在第m列上,分别与第n行的上述第一电位极板、第n+1行的上述第一电位上层共用布线及上述第一电位上层分支布线进行通路连接,
上述第二电位下层布线在上述第m列上,分别与上述第n行的上述第二电位上层共用布线、上述第n+1行的上述第二电位上层共用布线及上述第二电位上层分支布线进行通路连接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
上述第一电位下层布线在第m+2列上,分别与上述第n行的上述第一电位上层共用布线、上述第n+1行的上述第一电位上层共用布线及上述第一电位上层分支布线进行通路连接,
上述第二电位下层布线在上述第m+2列上,分别与上述第n行的上述第二电位极板、上述第n+1行的上述第二电位上层共用布线及上述第二电位上层分支布线进行通路连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710142356.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。