[发明专利]半导体装置及半导体封装件有效
申请号: | 200710142356.9 | 申请日: | 2007-08-22 |
公开(公告)号: | CN101131976A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 樱林太郎 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;谢丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及半导体封装件,特别是涉及均匀且有效地向芯片内供给电源的半导体装置及半导体封装件。
背景技术
有如下结构的内装有微处理器等LSI(大规模集成电路)的半导体装置(半导体芯片):在形成于芯片的表面上的极板(pad)上形成有多个凸起状电极(凸块),使形成有凸起状电极的表面侧向着下部,在此设置下,将凸起状电极与布线基板的着陆(land)布线直接连接,将凸起状电极以电连接的方式引出到外部。这种半导体装置,一般被称为倒装芯片。在倒装方式的半导体装置中,为了对单位单元进行正确的逻辑动作,需要布线布线按电压降少的配置来形成电源布线及接地布线,使其均匀且有效地向芯片内供给电源。
作为均匀且有效地向芯片内供给电源的半导体装置涉及的现有技术,例如有如下装置:从半导体芯片105的表面的电源用电极103沿着一个方向X形成有与该电源用电极103连接的电源用布线107,并且从接地用电极104沿着一个方向X形成有与该接地用电极104连接的、与电源用布线107相邻的接地用布线108,在电源用布线107的下层形成有下层电源用布线110,下层电源用布线110与电源用布线107连接,且沿着与电源用布线107大致垂直的另一方向Y形成,并且在接地用布线108的下层形成有下层接地用布线113,下层接地用布线113与接地用布线108连接,且沿着与接地用布线108大致垂直的另一方向Y形成(参照专利文献1;参照图9、图10)。
专利文献1:日本特开2001-203271
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1的布线结构中,在每行极板宽度(图9的101、102的Y轴方向的宽度)上密集地设有通孔布线112、115(通路),因此在通孔布线之间(例如图10的112和112之间)存在包括极板宽度和一根布线宽度的宽的部分L。在这种结构中,从通孔布线112至下层电源用布线110的电流不平衡,在下层电源用布线110上的电流最大的部分电源供给负荷增大,成为瓶颈点110a(电流集中处)。若因为该电流最大的部分需要高电源供给能力而构建满足高电源供给能力的电源布线结构时,必须使下层电源用布线110在整体上增大到某一程度的厚度和宽度。因此,通孔布线112密集而不需要高电源供给能力处的厚度和宽度,与通孔布线112不密集而需要高电源供给能力处的厚度和宽度相同,还会导致芯片尺寸的增大。此外,虽然专利文献1的布线结构提出于在设置于凸起状电极之下的极板101、102的下方不能进行通路连接的时期,但即使在极板101、102的下方进行通路连接,对于接地用电极104下的电源用布线107及电源用极板101下的接地用布线108而言,在瓶颈点附近的通路之间存在包括极板宽度和一根布线宽度的宽的部分的情况没有改变。
另一方面,若将电源布线结构构建为瓶颈点110a附近的通路之间的距离上不存在宽的部分,则可能无法将信号布线(未图示)设置在与下层电源用布线110相同的布线层上。若为了解决这种问题,准备信号布线(未图示)和下层电源用布线110各自的布线层,则除了会导致布线层数的增加以外,在布线资源成为瓶颈的情况下,还会导致芯片尺寸的增大。
用于解决课题的方案
本发明的主要课题为,确保布线资源,并且均匀且有效地向芯片内供给电源。
本发明的第一观点的半导体装置,在极板表面上有规则地设置凸起状的电极,经由上述电极通过倒装方式安装在布线基板上,其特征在于具有:多个第一电位极板,被施加第一电位;多个第二电位极板,被施加与上述第一电位不同的第二电位,并且与上述第一电位极板形成在同一层上,在一个方向上与上述第一电位极板交互设置;第一电源上层共用布线,与上述第一电位极板形成在同一层上,并且沿着上述一个方向延伸,且与上述一个方向上的各上述第一电位极板的第一端部连接;第二电位上层共用布线,与上述第二电位极板形成在同一层上,并且沿着上述一个方向延伸,且与上述一个方向上的各上述第二电位极板的上述第一端部的相反侧的第二端部连接;第一电位上层分支布线,与上述第一电位极板形成在同一层上,并且在上述第一电位上层共用布线和上述第二电位上层共用布线之间,从上述第一电位极板延伸至相邻的上述第二电位极板附近;以及第二电位上层分支布线,与上述第二电位极板形成在同一层上,并且在上述第一电位上层共用布线和上述第二电位上层共用布线之间,从上述第二电位极板延伸至相邻的上述第一电位极板附近。
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