[发明专利]加工用压敏黏合片

说明书

技术领域

本发明涉及一种加工用压敏黏合片，其用于加工例如半导体晶片的工件。

背景技术

由硅、锗、镓-砷等制成的半导体晶片以大直径形式制备，并且在之后以压敏黏合片粘附至其背面(该面与已经形成电路图形的那面相对)的状态进行切割、清洁、干燥、膨胀(expanding)、拾取(pickup)和安装步骤。

最近，已经希望用于半导体晶片切割步骤的压敏黏合片在从切割步骤至膨胀步骤期间具有足够黏合力，并且在拾取期间具有这样的黏合力程度，使得在所述压敏黏合片中压敏黏合剂对芯片不保持粘着。

例如随后给出的专利文献1和2中已经提出这样的压敏黏合片。该压敏黏合片具有压敏黏合剂的涂层，其中所述压敏黏合剂包含在其分子中具有至少两个可光聚合碳-碳双键的低分子化合物，并且其中所述压敏黏合剂层能够在用光线照射由聚(氯乙烯)制成的基材侧时具有三维网络结构。

然而，在专利文献1和2中公开的压敏黏合片具有下列问题。在长期储存过程中，在压敏黏合剂层中存在的可辐射聚合化合物迁移到由聚(氯乙烯)制成的基材中。因此，当长期储存后使用该压敏黏合片时，存在由于可辐射聚合化合物含量降低，由UV(紫外线)照射引发的所述压敏黏合剂层的固化反应进行不充分的情况。结果，可剥离性(releasability)甚至在紫外线照射后仍保持较低。即，在拾取芯片过程中总是存在所述压敏黏合剂粘着于所述芯片的问题。

此外，当在所述基材中存在的增塑剂迁移到所述压敏黏合剂层中时，该增塑剂通常软化所述压敏黏合剂层。因此存在在紫外线照射后拾取半导体芯片时，它们不能无误地被拾取的问题。此外还存在在紫外线照射之前，该压敏黏合片黏合力降低的问题。

在例如随后给出的专利文献3中公开了其中防止增塑剂从所述基材迁移进入到所述压敏黏合剂层中的压敏黏合片。该压敏黏合片具有布置在作为所述基材的树脂片材与所述压敏黏合剂层之间的中间层，从而有效地防止增塑剂从所述基材迁移到所述压敏黏合剂层中。作为所述中间层，使用选自聚乙烯、聚丙烯、聚(对苯二甲酸亚烷基酯)和改性醇酸树脂的树脂层。然而，在专利文献3中描述的压敏黏合片在充分抑制甚至多种添加剂例如抗老化剂的迁移方面没有效果。结果，在当将所述压敏黏合片用于加工半导体晶片时进行的所述膨胀步骤中，该压敏黏合片表现出降低的膨胀性和降低的膨胀回复，并且所述基材弯曲。

为了克服这些问题，在例如以下给出的专利文献4和专利文献5中公开了进一步防止包括抗老化剂的添加剂迁移的压敏黏合片，从而使该压敏黏合片具有改善的膨胀性等。然而，在这些专利文献中公开的压敏黏合片通过紫外线照射表现出黏合力的降低不足，且其可剥离性不足。

专利文献1：JP-A-60-196956

专利文献2：JP-A-60-223139

专利文献3：JP-A-1-56111

专利文献4：日本专利No.3060417

专利文献5：日本专利No.2703467

发明内容

考虑到上述问题完成了本发明。本发明的目的是提供一种加工用压敏黏合片，其在压敏黏合性能、可剥离性和膨胀性方面是优异的。

为了克服上述相关领域的技术问题，本发明人深入研究了加工用压敏黏合片。结果，本发明人发现所述目的可以通过在基材和压敏黏合剂层之间布置中间层来实现，该中间层包含具有指定性能的丙烯酸类聚合物作为主要成分。因此完成了本发明。

附图说明

图1是说明本发明加工用压敏黏合片一种实施方式的粗略结构的图解性剖面图。

附图标记说明

11加工用压敏黏合片

12基材

13中间层

14压敏黏合剂层

发明详述

为了实现上述目的，本发明提供下列(1)至(12)。

(1).一种用于加工的压敏黏合片，其包括：

基材；

包含可辐射聚合化合物的压敏黏合剂层；和

包含玻璃化转变温度为20℃以上的丙烯酸类聚合物作为主要成分的中间层，所述中间层布置在所述基材和所述压敏黏合剂层之间。

(2).根据(1)的压敏黏合片，其中所述基材是包含添加剂的柔软聚氯乙烯膜。

(3).根据(1)的压敏黏合片，其中所述压敏黏合剂层包含辐射聚合引发剂。

(4).根据(1)的压敏黏合片，其中所述丙烯酸类聚合物包括甲基丙烯酸酯聚合物或甲基丙烯酸甲酯聚合物。