[发明专利]形成绝缘膜的方法和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成用在半导体器件中的绝缘膜的方法，包括：

通过湿法氧化工艺在200到400摄氏度的温度范围对氮化钽膜执行热氧化，由此形成氧化钽膜作为所述绝缘膜。

2.如权利要求1所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述热氧化在空气气氛中执行。

3.如权利要求1所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述氧化钽膜具有无定形结构。

4.如权利要求2所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述氧化钽膜具有无定形结构。

5.如权利要求3所述的形成绝缘膜的方法，进一步包括：

在导电的金属氮化物材料上形成所述氮化钽膜；以及

执行对所述氮化钽膜的表面氧化，由此获得所述无定形结构。

6.如权利要求1所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述氧化钽膜具有层叠结构，所述层叠结构由具有非化学计量组分的第一膜和具有化学计量组分的第二膜构成。

7.如权利要求6所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述第一膜和第二膜分别是低价氧化钽膜和无定形Ta₂O₅膜。

8.如权利要求1所述的形成绝缘膜的方法，

其中所述氧化钽膜用作所述半导体器件中的电容绝缘膜。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

使用根据权利要求1所述的形成绝缘膜的方法形成所述氧化钽膜。