[发明专利]使用选择性蚀刻形成存储器的隔离结构的方法

权利要求书

1.一种选择性蚀刻方法，包括：

形成包括聚合物和碳纳米管的混合物；

将该混合物应用于蚀刻目标层上，藉此形成碳纳米管-聚合物复合层；

藉由图案化该碳纳米管-聚合物复合层来形成硬掩模，藉此选择性暴露该蚀刻目标层的一部分；以及

选择性蚀刻经由该硬掩模暴露的该蚀刻目标层。

2.如权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其中该聚合物包括光致抗蚀剂，且

所述形成硬掩模的步骤包括曝光和显影该碳纳米管-聚合物复合层。

3.如权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其中该聚合物包括有机抗反射涂层ARC。

4.一种使用选择性蚀刻方法隔离存储器的存储单元的方法，包括：

形成穿隧介电层于半导体基板上；

形成电荷储存层于该穿隧介电层上；

形成垫层于该电荷储存层上；

形成碳纳米管和聚合物的复合层于该垫层上以作为硬掩模；

顺序选择性蚀刻该垫层、该电荷储存层、该穿隧介电层、以及该半导体基板，其每个通过该硬掩模被暴露，以形成依据该电荷储存层的所得图案布置的沟槽；

形成绝缘层于该沟槽内，从而用该绝缘层填充该沟槽；以及

平坦化该绝缘层，直到暴露该垫层为止，藉此隔离每个存储单元。

5.如权利要求4所述的方法，其中该聚合物包括光致抗蚀剂。

6.如权利要求4所述的方法，其中该聚合物包括有机抗反射涂层ARC材料。

7.如权利要求4所述的方法，其中该垫层包括氮化硅层，该方法还包括在该垫层与该硬掩模之间的界面处形成具有比该氮化硅层的厚度小的厚度的氧化硅层作为次硬掩模。

8.如权利要求4所述的方法，其中该电荷储存层包括能存储通过隧穿到该穿隧介电层中而注入的电子的导电多晶硅层，以形成快闪存储器的控制栅极。

9.一种使用选择性蚀刻法形成具有存储单元的存储器的隔离结构的方法，包括：

形成穿隧介电层于半导体基板上；

形成电荷储存层于该穿隧介电层上；

形成垫层于该电荷储存层上；

形成包括光致抗蚀剂和碳纳米管的混合物；

涂覆该混合物于该垫层上，藉此形成碳纳米管-光致抗蚀剂复合层；

曝光和显影该复合层，藉此形成复合层图案作为硬掩模；

顺序选择性蚀刻该垫层、该电荷储存层、该穿隧介电层、以及该半导体基板，其每个通过该硬掩模被暴露，以形成依据该电荷储存层的所得图案布置的沟槽；

形成绝缘层于该沟槽内，以使用该绝缘层填充该沟槽；以及

平坦化该绝缘层直到暴露该垫层为止，藉此隔离每个存储单元。

10.如权利要求9所述的方法，其中该垫层包括氮化硅层，该方法还包括在该垫层与该硬掩模之间的界面处形成具有比该氮化硅层的厚度小的厚度的氧化硅层作为次硬掩模。

11.如权利要求9所述的方法，其中该电荷储存层包括能存储通过隧穿到该穿隧介电层中而注入的电子的导电多晶硅层，以形成快闪存储器的控制栅极。