[发明专利]激光加工用粘接片

说明书

技术领域

本发明涉及激光加工用粘接片，更详细说就是涉及利用激光切割半导体晶片等被加工物时所使用的激光加工用粘接片。

背景技术

最近，伴随电气、电子设备的小型化等而零件的小型化和高精密化在进展。因此，即使在各种材料的切断加工中也被要求高精密、高精度化。特别是在被强烈要求小型化、高密度化的半导体领域，近年来关注使用热损伤少且能进行高精密加工的激光的半导体晶片切断方法。

该技术例如是把基板上形成有各种电路和进行了表面处理的被加工物固定在切割片上，利用激光切割被加工物而芯片化成小片的方法(例如专利文献1)。且提出如下的方案：由含有基体材料膜的基体材料和在该基体材料的表面上形成的粘接剂层所构成，利用激光虽然粘接剂层被切断，但基体材料膜不被切断的切割片(例如专利文献2)。

专利文献1：特开2004-79746号公报

专利文献2：特开2002-343747号公报

但在被加工物的切割中使用激光时，仅把粘接剂层切断而不把基体材料膜切断的控制是非常困难的。即使假定能仅把粘接剂层切断，也有时在激光的照射部，基体材料膜的背面局部牢固地附着在切割装置的加工用装夹台上。因此，有给以后的工序即拉伸基体材料膜而把被加工物剥离并把它们一个一个回收的工序等带来障碍的问题。

发明内容

本发明是鉴于这种情况而开发的，目的在于提供一种激光加工用粘接片，在使用激光切断半导体晶片等被加工物时能把基体材料膜自身的切断限制到最小左右，防止基体材料膜向加工用工作台的局部附着，能容易且高效率地进行以后的工序。

本发明者们反复锐意讨论了在激光切割装置进行切割时的激光照射部，基体材料膜与加工用工作台局部牢固附着的现象，结果是：激光的能量到达基体材料膜的背面并通过向局部集中而产生热，引起基体材料膜材料的熔化等，假定干预激光能量的集中和发热并发现把它们的作用限制到最小左右的特定要件或它们的组合，则直至完成本发明。

即，本发明的激光加工用粘接片是在基体材料膜的表面上层合有粘接剂层的激光加工用粘接片，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。

该激光加工用粘接片的熔化保护层最好是由具有200℃以上熔点材料构成的层，例如最好是由从无机化合物、金属、有机化合物和它们组合构成的组中选择的材料所形成的层。

基体材料膜最好具有50％以上的光透过率，或是至少含有一层聚烯烃系树脂。

聚烯烃系树脂可以是从聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物构成的组中选择的一种以上。

基体材料膜至少还含有两层以上断裂伸长率不同的层，且最好邻接熔化保护层并且配置断裂伸长率大的层，或断裂伸长率大的层具有100％以上的断裂伸长率。

根据本发明的激光加工用粘接片，能有效地防止在激光照射部由激光能量向局部集中而引起产生的基体材料膜熔化。因此，能防止基体材料膜的背面局部附着在切割装置加工用工作台上的现象。因此能容易且高效率地进行以后的工序即拉伸基体材料膜而把被加工物与粘接剂层一起剥离并把它们一个一个回收的工序。

特别是熔化保护层是由具有200℃以上熔点材料构成的层时，基体材料膜的背面能更有效地防止基体材料膜的融化，能抑制局部附着在加工用工作台上的现象。

在熔化保护层是由从无机化合物、金属、有机化合物和它们组合构成的组中选择的材料所形成的层时，能容易形成熔点高的熔化保护层。

进而在基体材料膜具有50％以上的光透过率时，能防止基体材料膜自身由激光而引起的恶化。

在基体材料膜至少含有一层聚烯烃系树脂时，能把对于所使用激光的光透过率和/或吸光系数设定得比较高，能降低基体材料膜自身的加工性，即能不易切断。

特别是聚烯烃系树脂是从聚乙烯、聚丙烯、乙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯共聚物构成的组中选择的一种以上时，基体材料膜至少还含有两层以上断裂伸长率不同的层，且在邻接背面配置断裂伸长率大的层时，断裂伸长率大的层具有100％以上的断裂伸长率时，能把对于所使用激光的光透过率和/或吸光系数设定得更高，因此能防止基体材料膜自身被切断。

附图说明

图1(a-e)是本发明激光加工用粘接片的概略剖面图。

符号说明

1层          11粘接剂层    12基体材料膜    13树脂膜

14金属层     16有机物膜    I7熔化保护层

具体实施方式