[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710142658.6 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101211832A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李政皓 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L31/18;H01L21/322 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
将第一导电类型掺杂剂注入半导体衬底中，并在所述半导体衬底的表面中形成光电二极管区；
对形成有所述光电二极管区的所述半导体衬底进行尖峰退火；以及
将第二导电类型掺杂剂注入所述光电二极管区的上部，以形成第二导电类型扩散区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述尖峰退火的条件为：在气体气氛中，在低于1000℃的温度下，同时每秒升高100至200℃。
3.根据权利要求2所述的方法，其中进行所述尖峰退火的条件为：在800℃至900℃的温度，同时每秒升高100至200℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述尖峰退火采用的气体包括N2。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述尖峰退火采用的气体包括Ar。
6.根据权利要求1所述的方法，其中注入第一导电类型掺杂剂的步骤在不同的离子注入能量下进行两次。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述第二导电类型扩散区之后，对所述半导体衬底进行退火。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述尖峰退火抑制所述第一导电类型掺杂剂的扩散，并去除晶格间的空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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