[发明专利]随机存取存储器的电容的下电极的制作方法及其下电极

权利要求书

1.一种随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，包含:

形成电极基材结构于隔离层的凹槽壁面上；

形成金属层覆盖该电极基材结构；

使用热工艺使该金属层与该电极基材结构两者形成化合物；以及

移除该金属层未与该电极基材结构形成该化合物的部分，以得到下电极构造。

2.如权利要求1所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该电极基材结构由化学气相沉积法所形成。

3.如权利要求2所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该化学气相沉积法是低压化学气相沉积法。

4.如权利要求1所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该金属层由化学气相沉积法所形成。

5.如权利要求4所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该化学气相沉积法是金属有机化学气相沉积法。

6.如权利要求5所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该金属有机化学气相沉积法所通入的气体包含钛、铂、钴或镍的化合物。

7.如权利要求1所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该热工艺为退火工艺。

8.如权利要求7所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该退火工艺在真空气氛中进行。

9.如权利要求7所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该退火工艺在惰性气体气氛中进行。

10.如权利要求1所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该化合物由自动对准金属工艺所形成。

11.如权利要求1所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中移除该金属层的步骤为使用蚀刻工艺。

12.如权利要求11所述的随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，其中该蚀刻工艺是选择性湿式蚀刻。

13.一种随机存取存储器的电容的下电极，设于隔离层的凹槽壁面上，该下电极构造由电极基材结构与金属层两者所形成的化合物所形成。

14.如权利要求13所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该下电极构造包含一下电极基部以及多个凸部结合于该下电极基部。

15.如权利要求13所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该电极基材结构的材料为硅。

16.如权利要求13所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该金属层包含钛、铂、钴或镍。

17.如权利要求13所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该化合物是硅化合物。

18.如权利要求17所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该硅化合物包含硅化钛、硅化铂、硅化钴或硅化镍。

19.如权利要求13所述的随机存取存储器的电容的下电极，其中该下电极构造的体积大于该电极基材结构的体积。