[发明专利]闪存器件及编程方法有效
申请号: | 200710142756.X | 申请日: | 2007-08-23 |
公开(公告)号: | CN101154452A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 金基锡 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 器件 编程 方法 | ||
1.一种编程闪存器件的方法,该方法包括:
选择连接至多个存储器串的位线;
选择字线;
将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内,并将较高位编程到所述存储单元内;以及
重复所述选择字线的步骤以及所述编程较高位的步骤。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述闪存器件包括:第一存储器组,其具有多个存储器串;第二存储器组,其具有与所述第一存储器组相同的构造;以及页面缓冲器组,其具有与所述第一或第二存储器组的存储器串相同数量的页面缓冲器。
3.一种闪存器件,其包括:
多个存储单元串,每一个包括用于在其中存储数据的多个存储单元;
多个页面缓冲器,分别通过位线连接到所述多个存储单元串;
多个第一开关元件,分别连接到所述位线,且被配置为根据第一信号而提供电源电压给所述位线;以及
多个第二开关元件,连接在所述页面缓冲器以及所述位线之间,并被配置为响应于第二信号而导通或截止。
4.如权利要求3所述的闪存器件,其中,所述第一以及第二开关元件的每一个包括NMOS晶体管。
5.一种闪存器件,其包括:
第一存储器组,包括多个存储器串;
第二存储器组,具有与所述第一存储器组相同的构造;以及
页面缓冲器组,通过偶数位线而连接至所述第一存储器组的存储器串、并通过奇数位线而连接至所述第二存储器组的存储器串,所述页面缓冲器组具有与所述第一或第二存储器组的存储器串相同数量的页面缓冲器。
6.如权利要求5所述的闪存器件,还包括:
多个第一开关元件,分别连接至所述偶数位线,并被配置为根据第一信号而提供电源电压给所述偶数位线;
多个第二开关元件,连接在所述页面缓冲器以及所述偶数位线之间,并被配置为响应于第二信号而导通或截止;
多个第三开关元件,分别连接到所述奇数位线,并被配置为根据第三信号而提供电源电压给所述奇数位线;以及
多个第四开关元件,分别连接在所述页面缓冲器以及所述奇数位线之间,并被配置为响应于第四信号而导通或截止。
7.如权利要求6所述的闪存器件,其中,所述第一至第四开关元件的每一个包括NMOS晶体管。
8.一种用于闪存器件的编程方法,其包括以下步骤:
选择分别连接至多个存储器串的位线;以及
选择多个字线中的任一个,并且在共享所选择的字线的存储单元上执行编程操作。
9.一种用于闪存器件的编程方法,其包括以下步骤:
提供闪存器件,所述闪存器件包括:第一存储器组,具有多个存储器串;第二存储器组,具有与所述第一存储器组相同的结构;以及页面缓冲器组,具有与所述第一存储器组或所述第二存储器组的存储器串相同数量的页面缓冲器;
选择所述第一或第二存储器组的位线;
选择所选择的第一以及第二存储器组之一的字线;
编程与所选择的字线连接的存储单元;以及
重复所述选择所有位线的步骤至所述编程步骤。
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