[发明专利]闪存器件及编程方法

说明书

本申请案要求在2006年9月29日提交的韩国专利申请案第2006-96099号的优先权，其所有内容皆包括于其中以供参考。

技术领域

本发明涉及一种闪存器件，特别涉及一种可防止在存储单元(memorycell)之间的干扰(interference)现象的编程方法。

背景技术

图1是传统闪存器件的框图。

参照图1，该闪存器件包括存储单元阵列10以及页面缓冲器P1至Pn(n是整数)。该存储单元阵列10包括多个单元串(cell string)C1e至Cne以及C1o至Cno。该多个单元串C1e至Cne以及C1o至Cno的每一个包括多个用于储存数据的存储单元(未示出)。该页面缓冲器P1至Pn通过偶数位线BLe以及奇数位线BLo而连接至所述多个单元串C1e至Cne以及C1o至Cno。具体地，一个页面缓冲器P1通过形成一对的该偶数位线BLe以及该奇数位线BLo而连接至该单元串C1e以及C1o。

一般的闪存器件操作如下。以页面缓冲器P1为例进行描述。该页面缓冲器P1被加载要进行编程的数据，且由位线选择单元(未示出)来选择该偶数位线BLe或该奇数位线BLo两者任一。如果选择该偶数位线BLe，则对从在连接至该偶数位线Ble的单元串C1e中包括的多个单元中选择出来的一个单元进行编程。

然而，当闪存器件的集成程度提高时，线宽降低，以及在存储单元之间的间隙变得靠近。因此，共享相同字线的相邻单元会受到该被编程的单元的电压的干扰。此现象可发生在单级单元(SLC)以及多级单元(MLC)的所有结构中。然而，在存储单元之间的干扰现象在该MLC中会变得更显著。

该MLC的临界电压分布比该SLC的临界电压分布更窄。换言之，假设该SLC的临界电压范围为1V，该MLC的临界电压范围为0.2至0.6V。这是因为该MLC具有四个电压状态。因此，该临界电压分布不可避免地变窄。

如果任一个临界电压分布由于相邻单元的影响而变宽，则该临界电压分布可能会和其它状态重迭。此外，在进行偶数页面编程操作之后的奇数页面编程操作时，此现象会变得更显著。这是因为被编程的偶数页面的单元受到下一个被编程的奇数页面的单元的影响。因此，该器件的可靠度可明显地劣化。

发明内容

本发明的一实施例针对一种方法，其用以通过在共享相同字线的所有单元上执行编程操作(也就是说，基于字线进行编程)而减少相邻单元之间的干扰。

本发明的另一实施例针对：当基于字线执行编程时，通过在两个单元串之间共享该页面缓冲器来增加面积效率。

在一个实施例中，编程闪存器件的方法包括如下步骤：选择连接至多个存储器串(memory string)的所有位线；选择字线；将较低位和较高位编程到与所选择的字线连接的该存储单元内；以及重复选择该字线的步骤以及编程该较高位的步骤。

在另一实施例中，闪存器件包括：多个存储单元串，其每一个包括用于储存数据的多个存储单元；多个页面缓冲器，通过位线而分别连接至多个存储单元串。

在另一实施例中，闪存器件包括：第一存储器组，包括多个存储器串；第二存储器组，具有与所述第一存储器组的构造相同的构造；以及页面缓冲器组，通过偶数位线而连接至所述第一存储器组的存储器串、并通过奇数位线而连接至所述第二存储器组的存储器串，所述页面缓冲器组具有与所述第一或第二存储器组的存储器串相同数量的页面缓冲器。

在另一实施例中，一种用于编程闪存器件的方法，其包括以下步骤：提供闪存器件，所述闪存器件包括：第一存储器组，具有多个存储器串；第二存储器组，具有与所述第一存储器组相同的构造；以及页面缓冲器组，具有与所述第一存储器组或所述第二存储器组的存储器串相同数量的页面缓冲器；选择所述第一或第二存储器组的所有位线；选择所选择的存储器组的字线；将较低位编程到与所选择的字线连接的全部存储单元内，并然后将较高位编程到所述全部存储单元内；以及重复所述选择第一或第二存储器组的所有位线的步骤至所述编程较高位的步骤。

附图说明

图1是传统闪存器件的框图。

图2A以及图2B是图示了根据本发明实施例的闪存器件的编程方法的示意图。

图3A是根据本发明的第一实施例的闪存器件的框图。

图3B是图3A的详细电路图。

图4A是根据本发明的第二实施例的闪存器件的框图。

图4B是图4A的详细电路图。

具体实施方式

将参照附图来描述本专利的特定实施例。