[发明专利]半导体器件、半导体集成电路以及凸点电阻测定方法无效

专利信息
申请号: 200710142757.4 申请日: 2007-08-23
公开(公告)号: CN101154654A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 清水目和年;山田隆章 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/544;H01L27/02;H01L21/66;G01R31/28;G01R31/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 半导体 集成电路 以及 电阻 测定 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

第一半导体芯片;以及

第二半导体芯片,通过除了在芯片之间的动作所需数目的主凸点外,还包括规定数目的测定/控制输入凸点的多个凸点,与所述第一半导体芯片连接,

所述第一半导体芯片以及第二半导体芯片分别包括:

每个所述主凸点上所连接的多个测定路径开关;

所述主凸点和所述测定路径开关之间的各个连接点上所连接的多个电流路径开关;以及

所述测定路径开关的控制电路,

所述第一半导体芯片还包括用于输入所述控制电路的控制信号、提供流过所述电流路径开关的恒流、测定所述连接点的电压的多个测定/控制端子。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述多个测定/控制输入凸点包括:

电流路径凸点;

测定路径凸点;以及

多个控制输入凸点,

所述多个测定/控制端子包括:

测试信号输入端子,输入将所述电流路径开关导通的测试信号;

两个电流供给端子,通过所述电流路径凸点,对在所述第一以及第二半导体芯片的各自侧导通状态的所述电流路径开关提供恒流;

所述控制信号的输入端子,该控制信号使分别设置在所述第一以及第二半导体芯片上的两个所述控制电路动作;以及

两个电压测定端子,用于通过所述测定路径凸点,测定被供给所述恒流的主凸点两端的电压。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,

在所述第一以及第二半导体芯片各个芯片中,所述电流路径开关设置在所述主凸点和所述测定路径开关的每个连接点,所述测定路径开关的所述连接点和相反侧的节点被公共连接,

在所述第二半导体芯片内,所述测定路径开关的公共连接节点被连接到一个所述测定路径凸点,

在所述第一半导体芯片内,在所述第二半导体芯片内公共连接所述测定路径开关的所述测定路径凸点至少被连接到一个所述电压测定端子,并且所述测定路径开关的公共连接节点被连接到剩余的所述电压测定端子。

4.如权利要求2所述的半导体器件,其中,

在所述第一以及第二半导体芯片的各个内部,

通过除了两个以外的所有剩余所述电流路径开关将相邻的所述连接点之间隔一个地连接,从而可以将所有的所述主凸点串联连接,并且

所述测定路径开关的所述连接点和相反侧的节点被公共连接,

在所述第二半导体芯片内,

所述两个电流路径开关的一个被连接在位于所述主凸点的串联连接路径一端的所述连接点和所述电流路径凸点之间,并且

所述测定路径开关的公共连接节点被连接到所述测定路径凸点,

在所述第一半导体芯片内,

所述电流路径凸点被连接到所述两个电流路径端子的一个,

在位于所述主凸点的串联连接路径的另一端的所述连接点通过所述两个电流路径开关中剩余的一个而被连接到另一个所述电流路径端子,

所述测定路径凸点被连接到所述两个测定路径端子的一个,

所述测定路径开关的所述公共连接点被连接到所述两个测定路径端子的剩余的一个测定路径端子。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件,其中,

分别设置于所述第一以及第二半导体芯片的所述控制电路由传送寄存器形成,该传送寄存器同步于相同的时钟信号传送将测定对象的主凸点上所并联连接的所述测定路径开关导通的数据,

所述多个测定/控制凸点包括时钟信号凸点,该时钟信号凸点将所述时钟信号从所述第一半导体芯片传送到所述第二半导体芯片,

所述多个测定/控制端子包括所述时钟信号的输入端子。

6.如权利要求4所述的半导体器件,其中,

所述多个测定/控制凸点包括测试信号凸点,该测试信号凸点将导通所述多个电流路径开关的测试信号从所述第一半导体芯片传送到所述第二半导体芯片,

所述多个测定/控制端子包括所述测试信号的输入端子。

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