[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 200710142766.3 | 申请日: | 2007-08-23 |
公开(公告)号: | CN101131921A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 重松孝一;武田升 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/268;H01L21/68;B23K26/36;B23K26/42 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的激光加工方法,其特征在于,使用激光加工装置在晶片的器件区域和外周剩余区域的边界部形成分离槽,该晶片具有在表面形成了多个器件的上述器件区域和围绕该器件区域的上述外周剩余区域,该激光加工装置具备:卡盘台,具备保持晶片的保持面且可旋转地构成;加工进给机构,使该卡盘台沿加工进给方向即X轴方向移动;分度进给机构,使该卡盘台沿与加工进给方向正交的分度进给方向即Y轴方向移动;搬运机构,向该卡盘台搬运该晶片;激光光线照射机构,具备向保持在该卡盘台上的晶片照射激光光线的聚光器;以及摄像机构,拍摄保持在该卡盘台上的晶片;
上述激光加工方法包括:
晶片放置工序,通过该搬运机构搬运晶片并放置在该卡盘台保持面上;
中心偏移检测工序,通过该摄像机构检测放置在该卡盘台保持面上的晶片的外周缘的多个部位,求出晶片中心的坐标,并检测与该卡盘台的旋转中心的坐标之间的偏移;
中心位置对准工序,对应于通过该中心偏移检测工序检测出的晶片的中心与该卡盘台的旋转中心的偏移,相对地移动该卡盘台和晶片,使晶片的中心与该卡盘台的中心对准位置;以及
激光加工工序,对放置在该卡盘台的保持面上并实施了该中心位置对准工序的晶片的该器件区域和该外周剩余区域的边界部,从该激光光线照射机构照射激光光线的同时旋转该卡盘台,由此在晶片的该器件区域和该外周剩余区域的边界部形成分离槽。
2.如权利要求1所述的晶片的激光加工方法,其特征在于,该中心位置对准工序包括:晶片保持工序,将实施了该中心偏移检测工序的晶片保持在该卡盘台的正上方;中心偏移校正工序,使该加工进给机构及分度进给机构工作,对通过该中心偏移检测工序检测出的晶片中心与该卡盘台的旋转中心的X轴方向及Y轴方向的偏移进行校正;以及晶片再放置工序,在实施了该中心偏移校正工序的该卡盘台的保持面上,再次放置该晶片保持工序中被保持的晶片。
3.如权利要求2所述的晶片的激光加工方法,其特征在于,在实施将下一个应加工的晶片放置在该卡盘台的保持面上的晶片放置工序之前,根据通过该中心偏移检测工序检测出的晶片的中心与该卡盘台的旋转中心的偏移,实施该中心偏移校正工序。
4.如权利要求1所述的晶片的激光加工方法,其特征在于,晶片的与该器件区域对应的背面被研磨,在晶片的与该外周剩余区域对应的背面形成有环状的加强部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造