[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片加工方法，在晶片的器件区域和外周剩余区域的边界部形成加工槽，该晶片具有在表面形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致是圆板形状的半导体晶片的表面通过格子状排列的称为“切割道(Street)”的预分割线来划分了多个区域，在该被划分的区域形成IC、LSI等器件。然后，通过沿着切割道切断半导体晶片来分割形成有器件的区域，制造各个半导体芯片。另外，在蓝宝石基板的表面层叠了氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片，也通过沿着切割道切断来分割成各个发光二极管、激光二极管等光器件，广泛地利用于电气设备。

上述那样被分割的晶片在沿着切割道切断之前，通过对背面进行研磨或者蚀刻而形成规定的厚度。近年，为了达到电气设备的轻量化、小型化，需要将晶片的厚度形成为100μm以下。

然而，若将晶片的厚度形成为100μm以下，则存在容易破损、晶片的搬运等的处理困难的问题。

为了解决上述问题，本发明人作为(日本)特开2007-19461号提出一种晶片加工方法，该方法通过对晶片的背面的对应器件区域的区域进行研磨，将器件区域的厚度形成为规定厚度，同时残留晶片的背面的外周部而形成环状的加强部，能够形成具有刚性的晶片。

但是，当沿着切割道分割上述晶片时，上述环状的加强部成为障碍必须去除。为了去除该环状的加强部，可考虑使用切削装置，该装置具备保持被加工物的卡盘台、和具有对保持在该卡盘台上的被加工物进行切割的切削刀片的切削机构。即，使旋转的切削刀片定位于保持在卡盘台的晶片的器件区域和外周剩余区域的边界部，给予切削刀片规定的切削进给的同时旋转卡盘台进行切削。

然后，若使用上述的切削装置，旋转保持晶片的卡盘台的同时进行切削，则由于切削刀片具有直进性，若圆弧状切削，则对切削刀片及晶片作用较大的负荷。因此，存在不仅切削刀片破损且给形成得较薄的晶片的器件区域带来损伤的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶片的加工方法，不损伤晶片的器件区域，能够在器件区域和外周剩余区域的边界部形成加工槽。

为了达成上述目的，若采用本发明，则提供一种晶片的激光加工方法，其特征在于，使用激光加工装置在晶片的器件区域和外周剩余区域的边界部形成分离槽，该晶片具有在表面形成了多个器件的上述器件区域和围绕该器件区域的上述外周剩余区域，该激光加工装置具备：卡盘台，具备保持晶片的保持面且可旋转地构成；加工进给机构，使该卡盘台沿加工进给方向(X轴方向)移动；分度进给机构，使该卡盘台沿与加工进给方向(X轴方向)正交的分度进给方向(Y轴方向)移动；搬运机构，向该卡盘台搬运该晶片；激光光线照射机构，具备向保持在该卡盘台上的晶片照射激光光线的聚光器；以及摄像机构，拍摄保持在该卡盘台上的晶片；

上述激光加工方法包括：

晶片放置工序，通过该搬运机构搬运晶片并放置在该卡盘台保持面上；

中心偏移检测工序，通过该摄像机构检测放置在该卡盘台保持面上的晶片的外周缘的多个部位，求出晶片中心的坐标，并检测与该卡盘台的旋转中心的坐标之间的偏移；

中心位置对准工序，对应于通过该中心偏移检测工序检测出的晶片的中心与该卡盘台的旋转中心的偏移，相对地移动该卡盘台和晶片，使晶片的中心与该卡盘台的中心对准位置；以及

激光加工工序，对放置在该卡盘台的保持面上并实施了该中心位置对准工序的晶片的该器件区域和该外周剩余区域的边界部，从该激光光线照射机构照射激光光线的同时旋转该卡盘台，由此在晶片的该器件区域和该外周剩余区域的边界部形成分离槽。

上述中心位置对准工序包括：晶片保持工序，将实施了该中心偏移检测工序的晶片保持在该卡盘台的正上方；中心偏移校正工序，使该加工进给机构及分度进给机构工作，对通过该中心偏移检测工序检测出的晶片中心与该卡盘台的旋转中心的X轴方向及Y轴方向的偏移进行校正；以及晶片再放置工序，在实施了该中心偏移校正工序的该卡盘台的保持面上，再次放置该晶片保持工序中被保持的晶片。

在实施将下一个应加工的晶片放置在该卡盘台的保持面上的晶片放置工序之前，根据通过该中心偏移检测工序检测出的晶片的中心与该卡盘台的旋转中心的偏移，实施该中心偏移校正工序。

晶片的与该器件区域对应的背面被研磨，在晶片的与该外周剩余区域对应的背面形成有环状的加强部。