[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，该装置包含：

第一衬底，其包含电容单元；

第二衬底，其包含电路单元，其中该电路单元包含至少一个晶体管及至少一条引线；以及

连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元。

2.如权利要求1所述的装置，其中该第一衬底包含连接至该电容单元的穿透电极，其中该穿透电极穿透该半导体衬底。

3.如权利要求2所述的装置，其中该穿透电极包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

4.如权利要求2所述的装置，其中该连接电极经该穿透电极电连接至该电容单元。

5.如权利要求2所述的装置，其中该穿透电极和该电容单元的至少其中之一包含金属阻挡层。

6.如权利要求1所述的装置，其中该第二衬底包含：

晶体管层，其中该晶体管层包含在半导体衬底上形成的至少一个晶体管；以及

至少一层金属层，其中所述至少一层金属层形成在该晶体管层上方。

7.如权利要求1所述的装置，其中该电容单元包含：

底部电极；

绝缘层；以及

顶部电极。

8.如权利要求7所述的装置，其中该底部电极和该顶部电极的至少其中之一包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

9.如权利要求1所述的装置，其中该第二衬底包含：

晶体管层，其包含所述至少一个晶体管；以及

至少一层布线层，其包含所述至少一条引线。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述至少一层布线层包含三层布线层。

11.一种方法，其包含下列步骤：

形成包含电容单元的第一衬底；

形成包含电路单元的第二衬底，其中该电路单元包含至少一个晶体管及至少一条引线；以及

利用连接电极电连接该电容单元与该电路单元。

12.如权利要求11所述的方法，包含形成穿过该第一衬底的穿透电极的步骤，其中该穿透电极连接至该电容单元，以及其中该穿透电极穿透该半导体衬底。

13.如权利要求12所述的方法，其中该穿透电极包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

14.如权利要求12所述的方法，其中该连接电极经该穿透电极电连接至该电容单元。

15.如权利要求12所述的方法，其中该穿透电极和该电容单元的至少其中之一包含金属阻挡层。

16.如权利要求11所述的方法，还包含如下步骤：

在该第二衬底内形成晶体管层，其中该晶体管层包含形成在半导体衬底上的所述至少一个晶体管；以及

在该晶体管层上方形成至少一层金属层，其中所述至少一层金属层包含所述至少一条引线。

17.如权利要求11所述的方法，其中该电容单元包含：

底部电极；

绝缘层；以及

顶部电极。

18.如权利要求17所述的方法，其中该底部电极和该顶部电极的至少其中之一包含W、Cu、Al、Ag和Au的至少其中之一。

19.如权利要求11所述的方法，其中该第二衬底包含：

晶体管层，其包含所述至少一个晶体管；以及

至少一层布线层，其包含所述至少一条引线。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述至少一层布线层包含三层布线层。