[发明专利]加热块及利用其的引线键合方法有效
申请号: | 200710143605.6 | 申请日: | 2007-08-14 |
公开(公告)号: | CN101369545A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 陈强;刘一波 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 利用 引线 方法 | ||
1.一种用于引线键合工艺的加热块,包括:
加热孔,形成在加热块的中心部分,用于对所要键合的引线框架进行加热;
真空吸孔,对应于引线框架的引脚部分分布在加热孔的周围,并贯穿整个加热块,用于吸附引线框架的引脚部分,
其中,在加热块的上表面上形成有第一凸台和第二凸台,第一凸台形成在加热块的中心部分,用于支撑将被贴合的芯片,第二凸台形成在第一凸台的周围,用于支撑引线框架,
其中,所述加热孔形成在第一凸台上,所述真空吸孔形成在第二凸台上。
2.根据权利要求1所述的加热块,其中所述加热块的背面设置有真空部分,所述真空部分与真空吸孔连通,用于使真空吸孔处于真空状态。
3.根据权利要求2所述的加热块,其中,所述真空部分的背面设置有真空泵接口,用于与真空泵连接,以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
4.根据权利要求2所述的加热块,其中,所述真空部分呈环状。
5.根据权利要求1所述的加热块,其中,所述真空吸孔呈放射状分布。
6.根据权利要求1所述的加热块,其中,所述真空吸孔的布局由引线框架的引脚部分的布局确定。
7.一种引线键合的方法,包括的步骤有:
确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合;
将压板下压,固定引线框架;
利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分;
执行打线过程;
释放引线框架的引脚部分,
其中,在加热块的上表面上形成有第一凸台和第二凸台,第一凸台形成在加热块的中心部分,用于支撑将被贴合的芯片,第二凸台形成在第一凸台的周围,用于支撑引线框架,所述真空吸孔形成在第二凸台上。
8.根据权利要求7所述的引线键合的方法,其中,所述加热块的背面设置有真空部分,所述真空部分与真空吸孔连通,用于使真空吸孔处于真空状态。
9.根据权利要求8所述的引线键合的方法,其中,所述真空部分的背面设置有真空泵接口,用于与真空泵连接,以使真空部分和真空吸孔处于真空状态。
10.根据权利要求9所述的引线键合的方法,其中,利用加热块的真空吸孔吸附引线框架的引脚部分的步骤包括打开真空泵,使真空吸孔处于真空状态来吸附引线框架的引脚部分。
11.根据权利要求9所述的引线键合的方法,其中,释放引线框架的引脚部分的步骤包括关闭真空泵,去除真空吸孔的真空状态,从而释放引线框架的引脚部分。
12.根据权利要求7所述的引线键合的方法,还包括:在释放引线框架的引脚部分之后,松开压板,去除对引线框架的固定。
13.根据权利要求12所述的引线键合的方法,还包括:在松开压板之后,将引线框架载入到引线框架盒中。
14.根据权利要求7所述的引线键合的方法,还包括:在确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤之前,将引线框架从引线框架盒载入至芯片键合区域。
15.根据权利要求7所述的引线键合的方法,其中,确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔重合的步骤包括确认引线框架的引脚部分与加热块的真空吸孔是否重合,如果重合,则将压板下压;如果不重合,则继续调整位置直到重合为止。
16.根据权利要求7所述的引线键合的方法,其中,所述真空吸孔呈放射状分布。
17.根据权利要求7所述的引线键合的方法,其中,所述真空吸孔的布局由引线框架的引脚部分的布局确定。
18.根据权利要求8所述的引线键合的方法,其中,所述真空部分呈环状。
19.根据权利要求7所述的引线键合的方法,其中,所述引线键合过程利用金属线进行键合。
20.根据权利要求19所述的引线键合的方法,其中,所述金属线为金线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司,未经三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710143605.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造