[发明专利]对半导体晶圆粘贴粘合带、剥离保护带的方法及装置有效
申请号: | 200710143707.8 | 申请日: | 2007-07-30 |
公开(公告)号: | CN101118843A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 山本雅之 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对半 导体 粘贴 粘合 剥离 保护 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种在半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)表面 (形成图案的面)所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带的方法、 利用剥离用粘合带从晶圆表面剥离保护带的方法以及使用这些 方法的装置。
背景技术
在图案形成处理完毕的半导体晶圆表面粘贴了用于保护图 案的保护带,在该状态下实施背面磨削处理。之后,在将晶圆 输送到将其切割分离成芯片的切割工序之前,预先从晶圆表面 剥离保护带。
作为从晶圆表面剥离保护带的方法,例如在日本特开2002 -124494号公报示出。使粘贴有保护带的表面朝上,将晶圆保 持在工作台上,将剥离用粘合带粘贴在保护带上,并且逐渐进 行翻转剥离。这样,从晶圆表面逐渐剥离粘结在粘合带上并与 之一体化的保护带。
近年来,随着电子设备的小型化、高密度安装等,晶圆逐 渐薄型化。但是,薄至数十μm的晶圆容易因翘曲而导致断裂、 破损,在各种处理工序及处理中产生破损的危险变高。因此, 提出下述方案:通过背面磨削处理来磨削晶圆中央部分,在背 面外周部分残留形成环状凸部,以使晶圆具有刚性。即,使晶 圆变得难以在处理中破损。
残留形成有环状凸部的晶圆由于具有可抗翘曲的刚性,因 此容易处理而不会使之破损。但是,使晶圆背面朝下保持在工 作台上时,虽然环状凸部与工作台接触,但中央的扁平凹部不 与工作台接触。因此,存在如下这样的问题:无法将剥离用粘 合带高精度地粘贴在薄型化了的晶圆上,并且无法使保护带与 该剥离用粘合带一体化而高精度地进行剥离。
发明内容
本发明是鉴于上述那样的实际情况而作出的,其目的在于 提供一种尽管晶圆薄型化,也能不损坏晶圆地高精度地粘贴剥 离用粘合带以及使用剥离用粘合带剥离保护带的向半导体晶圆 粘贴粘合带的方法,从半导体晶圆剥离保护带的方法以及使用 这些方法的装置。
为了达到上述那样的目的,本发明采用下述这样的技术方 案。
一种向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,该方法用于在半导 体晶圆表面所粘贴的保护带上粘贴剥离用粘合带,该方法包括 以下过程:
以围绕背面磨削区域的方式在上述半导体晶圆的背面外周 残留形成环状凸部;
将表面朝上的半导体晶圆载置到保持台上,并且用保持台 所具有的卡定构件抵接支承上述环状凸部的外周来固定半导体 晶圆;
从保持台一侧向形成在半导体晶圆背面与保持台之间的空 间供给流体,从而提高上述空间的内压;
向粘贴在半导体晶圆表面的保护带的表面供给剥离用粘合 带;
一边用宽度大于半导体晶圆外径的粘贴构件推压粘合带的 非粘贴表面、一边使粘贴构件从半导体晶圆一端侧移动到另一 端侧,从而将粘合带粘贴在保护带的表面。
根据本发明的向半导体晶圆粘贴粘合带的方法,即使半导 体晶圆通过背面磨削被薄化处理至数十μm,也可以在被形成在 其背面外周的环状凸部加强了的状态下进行处理。因此,可以 抑制半导体晶圆在处理、其他处理工序中由于不当挠曲或翘曲 而变形。
另外,在将剥离用粘合带粘贴在上述那样的半导体晶圆表 面所粘贴着的保护带上时,用供给来的流体适当对半导体晶圆 内侧形成的空间加压。即使在上述那样的状态下,也可利用卡 定构件抵接支承环状凸部的外周,从而将晶圆紧贴固定在保持 台上,因此,可以防止流体从保持台与晶圆的接触面之间漏出。 尤其是在环状凸部宽度狭窄时和无法吸附保持该背面侧的扁平 面时,可有效地发挥作用。
另外,由于粘贴构件使用的是宽度比半导体晶圆外径大的 粘贴构件,所以,利用被保持台承接支承的晶圆外周部背面的 环状凸部,来限制粘贴构件的推压位置。因此,即使用粘贴构 件推压中空的晶圆薄壁部,晶圆表面也不会比扁平状态更加向 空间内方产生较大的推压变形。也就是说,可以将粘合带高精 度地粘贴在被环状凸部加强且背面形成有凹凸台阶而厚度不均 匀的晶圆上。
而且,优选是,在该方法中,一边容许从空间流出流体、 一边向空间供给流体而对该空间加压。例如,利用形成在保持 台上的微细孔来容许流体流出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造